[實用新型]一種逆變器直流母線電容放電電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420663921.1
• 申請日: 2014-11-06
• 公開（公告）號: CN204168176U
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邢軍;徐清清;耿后來;李浩源;梅曉東
• 申請（專利權(quán)）人: 陽光電源股份有限公司
• 主分類號: H02M7/48
• 分類號: H02M7/48
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型主要涉及新能源發(fā)電系統(tǒng)中逆變器的應(yīng)用領(lǐng)域，更具體地說是涉及一種逆變器直流母線電容放電電路。

背景技術(shù)

逆變器是新能源發(fā)電系統(tǒng)中必不可少的調(diào)整裝置，主要用來將直流電轉(zhuǎn)換成交流電，而在大功率逆變器中，為了支持母線電壓通常需要其逆變裝置直流側(cè)的母線電容采用大容量的直流母線電容，但這樣會使得直流輸入掉電后，母線電容電壓長時間維持較高值，因而，當(dāng)設(shè)備停機后必須要對該直流母線電容進行放電，以避免檢修設(shè)備時發(fā)生觸電危險。

基于此，現(xiàn)有技術(shù)中通常是在逆變器的直流母線電容兩端并聯(lián)功率電阻進行放電，然而，由于該功率電阻在設(shè)備運行過程中會一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，會產(chǎn)生大量熱量，增大系統(tǒng)損耗，雖然，增大該功率電阻的阻值可改善該問題。但功率電阻的阻值過大會延長放電時間，而且，在該逆變器的輔助電源掉電后，有潛在的安全隱患，且不滿足安規(guī)要求。

實用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型提供一種逆變器直流母線電容放電電路，解決了現(xiàn)有技術(shù)功率電阻設(shè)計困難，放電時間長，且不滿足安規(guī)要求的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型所提供的技術(shù)方案如下：

一種逆變器直流母線電容放電電路，所述逆變器直流母線電容包括串聯(lián)的正母線電容和負(fù)母線電容，所述放電電路包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一功率開關(guān)管、第二功率開關(guān)管以及小信號開關(guān)模塊，其中：

所述第一電阻的一端與所述第一功率開關(guān)管的控制端相連，另一端與所述第四電阻的一端均與直流母線正極相連，所述第四電阻的另一端與所述第一功率開關(guān)管的輸入端相連；

所述第一功率開關(guān)管的輸出端與所述正母線電容和所述負(fù)母線電容的公共連接點相連，且通過所述第五電阻與所述第二功率開關(guān)管的輸入端相連；

所述第二功率開關(guān)管的控制端和輸出端分別與所述第三電阻的兩端一一相連，且所述第二功率開關(guān)管的輸出端接地；

所述第二電阻的兩端分別與所述第一功率開關(guān)管的控制端和所述第二功率開關(guān)管的控制端一一相連；

所述小信號開關(guān)模塊與所述第三電阻并聯(lián)，且與所述逆變器的輔助電源輸出端相連；

所述正母線電容與負(fù)母線電容的容量之比等于所述第一電阻與所述第二電阻的阻值之比。

優(yōu)選的，所述放電電路還包括第六電阻，以使所述輔助電源通過所述第六電阻與所述小信號開關(guān)模塊相連。

優(yōu)選的，所述小信號開關(guān)模塊包括：第七電阻和第三功率開關(guān)管，其中：

所述第三功率開關(guān)管的控制端通過所述第六電阻與所述輔助電源相連，輸入端與所述第二電阻和所述第三電阻的公共連接點相連，輸出端接地；

所述第七電阻的一端與所述第三功率開關(guān)管的控制端相連，另一端與所述第三功率開關(guān)管的輸出端相連。

優(yōu)選的，所述小信號開關(guān)模塊具體為隔離性光耦，所述隔離性光耦的原邊為發(fā)光二極管，副邊為三極管，其中：

所述發(fā)光二極管的陽極通過所述第六電阻與所述輔助電源相連，陰極接地；

所述三極管的集電極和發(fā)射極分別與所述第三電阻的兩端一一相連，且所述發(fā)射極接地。

優(yōu)選的，所述第一功率開關(guān)管、所述第二功率開關(guān)管和所述第三功率開關(guān)管均是NPN型三極管；

則所述控制端為所述NPN型三極管的基極，所述輸入端為所述NPN型三極管的集電極，所述輸出端為所述NPN型三極管的發(fā)射極。

優(yōu)選的，所述第一功率開關(guān)管、所述第二功率開關(guān)管和所述第三功率開關(guān)管均是N溝道MOS管；

則所述控制端為所述N溝道MOS管的柵極，所述輸入端為所述N溝道MOS管的漏極，所述輸出端為所述N溝道MOS管的源極。

優(yōu)選的，所述第一功率開關(guān)管、所述第二功率開關(guān)管和所述第三功率開關(guān)管均是IGBT管；

則所述控制端為所述IGBT管的柵極，所述輸入端為所述IGBT管的漏極，所述輸出端為所述IGBT管的源極。

優(yōu)選的，所述隔離性光耦具體為TLP521型號的光耦。

優(yōu)選的，所述正母線電容與所述負(fù)母線電容的容量相等，且所述第一電阻的阻值等于所述第二電阻的阻值。

優(yōu)選的，所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻、所述第四電阻和所述第五電阻具體均為功率電阻或由多個貼片電阻串聯(lián)構(gòu)成的電阻串。