[實(shí)用新型]電壓反向裝置及包含電壓反向裝置的硅芯電阻率檢測(cè)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420663215.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204166052U | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳鵬;宋永剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新特能源股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R27/02 | 分類號(hào): | G01R27/02 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址: | 830011 新疆維吾爾自治區(qū)烏魯木齊國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電壓 反向 裝置 包含 電阻率 檢測(cè) 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及硅芯電阻率檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電壓反向裝置及包含電壓反向裝置的硅芯電阻率檢測(cè)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
多晶硅的生產(chǎn)離不開硅芯,在生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中,為了保證多晶硅產(chǎn)品的合格率,硅芯的電阻率必須要符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),因此,硅芯電阻率的檢測(cè)是多晶硅生產(chǎn)企業(yè)的必要工藝流程,且快速準(zhǔn)確地檢測(cè)出硅芯的電阻率,對(duì)多晶硅產(chǎn)出具有重要的意義。通常,測(cè)量硅芯電阻率需要先測(cè)量正向電流或電壓,然后再測(cè)量反向電流或電壓,將測(cè)量得到的正向電流或電壓與反向電流或電壓計(jì)算平均電壓,根據(jù)平均電壓計(jì)算電阻率,并將計(jì)算得到的電阻率與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)比較,從而判斷硅芯的電阻率是否合格。
傳統(tǒng)的多晶硅生產(chǎn)企業(yè),通常是利用硅芯電阻率測(cè)試儀來(lái)檢測(cè)硅芯的電阻率。而硅芯電阻率測(cè)試儀自身具有電流反向的功能,即在硅芯電阻率測(cè)試儀內(nèi)部,通過(guò)電流反向功能模塊實(shí)現(xiàn)電流自動(dòng)反向的功能,該電流反向功能模塊為集成電路。
然而,這種具有電流自動(dòng)反向功能的硅芯電阻率測(cè)試儀在使用過(guò)程中具有以下缺陷:
1、一旦電流反向模塊發(fā)生故障,集成電路的故障很難由用戶自行排除,也就是說(shuō),用戶無(wú)法自行維修,只能返回硅芯電阻率測(cè)試儀廠商返修,一方面,維修周期長(zhǎng)、維修成本高;
2、電流反向功能模塊集成在硅芯電阻率測(cè)試儀內(nèi)部,電流檢測(cè)線的輸出端只有1個(gè),一方面,每次只能夠檢測(cè)1根硅芯的電流,檢測(cè)效率低;另一方面,不具備擴(kuò)展性,可靠性差。
因此,亟需一種電壓反向裝置及包含電壓反向裝置的硅芯電阻率檢測(cè)系統(tǒng)以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足,提供一種電壓反向裝置及包含電壓反向裝置的硅芯電阻率檢測(cè)系統(tǒng),用以解決使用效率低,可擴(kuò)展性和可靠性差,后期維修費(fèi)用高、周期長(zhǎng)的問(wèn)題。
本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題,采用如下技術(shù)方案:
本實(shí)用新型提供一種電壓反向裝置,所述裝置為繼電器,包括至少一組開關(guān),每組開關(guān)包括第一開關(guān)和第二開關(guān),第一開關(guān)的常閉觸點(diǎn)與第二開關(guān)的常開觸點(diǎn)短接,第一開關(guān)的常開觸點(diǎn)與第二開關(guān)的常閉觸點(diǎn)短接;
當(dāng)電壓反向裝置未上電時(shí),第一開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)與第一開關(guān)的常閉觸點(diǎn)吸合,第二開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)與第二開關(guān)的常閉觸點(diǎn)吸合;
當(dāng)電壓反向裝置上電時(shí),第一開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)與第一開關(guān)的常開觸點(diǎn)吸合,第二開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)與第二開關(guān)的常開觸點(diǎn)吸合。
本實(shí)用新型還提供一種硅芯電阻率檢測(cè)系統(tǒng),包括:處理器、電壓變送器和如前所述的電壓反向裝置,所述電壓反向裝置與待測(cè)硅芯相連,能夠在電壓反向裝置上電時(shí),將加載在待測(cè)硅芯上的電壓反向;
處理器與所述電壓反向裝置相連,能夠?yàn)樗鲭妷悍聪蜓b置供電或斷電;
電壓變送器分別與所述處理器和電壓反向裝置相連,能夠檢測(cè)加載在待測(cè)硅芯上的電壓,將所述電壓轉(zhuǎn)換為電流,并將所述電流發(fā)送給所述處理器。
優(yōu)選的,所述電壓反向裝置的第一開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)和第二開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)分別與待測(cè)硅芯相連;
電壓變送器的兩端分別與第一開關(guān)的常閉觸點(diǎn)和第二開關(guān)的常閉觸點(diǎn)相連。
進(jìn)一步的,所述系統(tǒng)還包括空氣斷路器,空氣斷路器分別與所述處理器的供電輸入端和電源相連。
進(jìn)一步的,所述系統(tǒng)還包括上位機(jī),上位機(jī)與所述處理器相連。
優(yōu)選的,所述上位機(jī)與處理器采用總線連接。
優(yōu)選的,所述上位機(jī)與處理器采用cp5611通訊卡進(jìn)行通訊。
優(yōu)選的,所述電壓變送器與處理器采用模擬信號(hào)輸入卡件進(jìn)行通訊;所述處理器采用S7-300系列可編程邏輯控制器PLC。
進(jìn)一步的,所述電壓反向裝置還包括用于為所述開關(guān)供電的線圈,線圈設(shè)置于所述第一開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)和第二開關(guān)的動(dòng)觸點(diǎn)的一側(cè),且線圈的兩個(gè)抽頭分別與所述處理器相連。
優(yōu)選的,所述處理器、電壓變送器和電壓反向裝置固定在導(dǎo)軌上。
本實(shí)用新型具有如下有益效果:
本實(shí)用新型通過(guò)將繼電器作為電壓反向裝置,將繼電器設(shè)置至少兩個(gè)開關(guān),并將第一開關(guān)的常閉觸點(diǎn)與第二開關(guān)的常開觸點(diǎn)短接,第一開關(guān)的常開觸點(diǎn)與第二開關(guān)的常閉觸點(diǎn)短接,在繼電器未上電和上電時(shí),第一開關(guān)的常閉觸點(diǎn)和第二開關(guān)的常閉觸點(diǎn)上的電壓反向,該電壓反向裝置采用電氣元件實(shí)現(xiàn),維修和更換更為容易,維修時(shí)間短、成本低;通過(guò)擴(kuò)展多組開關(guān),不但可以實(shí)現(xiàn)多根硅芯同時(shí)檢測(cè),提高了硅芯電阻率的檢測(cè)效率,而且,當(dāng)其中一組開關(guān)出現(xiàn)故障時(shí),還可以繼續(xù)使用其他組的開關(guān),可靠性更高。
附圖說(shuō)明
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R27-00 測(cè)量電阻、電抗、阻抗或其派生特性的裝置
G01R27-02 .電阻、電抗、阻抗或其派生的其他兩端特性,例如時(shí)間常數(shù)的實(shí)值或復(fù)值測(cè)量
G01R27-28 .衰減、增益、相移或四端網(wǎng)絡(luò),即雙端對(duì)網(wǎng)絡(luò)的派生特性的測(cè)量;瞬態(tài)響應(yīng)的測(cè)量
G01R27-30 ..具有記錄特性值的設(shè)備,例如通過(guò)繪制尼奎斯特
G01R27-32 ..在具有分布參數(shù)的電路中的測(cè)量
G01R27-04 ..在具有分布常數(shù)的電路中的測(cè)量





