[實(shí)用新型]發(fā)光元件結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420660865.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204167357U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁紹瀅;黃冠杰;黃靖恩;黃逸儒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新世紀(jì)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 元件 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:
發(fā)光單元,用于發(fā)出光線;
封裝單元,用于包覆該發(fā)光單元;
透明導(dǎo)光結(jié)構(gòu),設(shè)置于該封裝單元上;
第一周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu),形成于該透明導(dǎo)光結(jié)構(gòu)上,其中該第一周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)的多數(shù)孔形成周期性圖案,且該第一周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)的相鄰兩孔中心之間的距離小于λ/n,λ表示該發(fā)光單元發(fā)出的光線通過(guò)該封裝單元后的波長(zhǎng),n表示該第一周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,該封裝單元包含:
封裝膠體;
多數(shù)個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子,分散于該封裝膠體中,用于轉(zhuǎn)換該發(fā)光單元發(fā)出光線的波長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,該多數(shù)個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子為為熒光粉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,該多數(shù)個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子為量子點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)在該透明導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的上表面以蝕刻或沉積方式所形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,該發(fā)光元件結(jié)構(gòu)還包含:
第二周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu),形成于該透明導(dǎo)光結(jié)構(gòu)及該封裝單元之間,其中該第二周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)的多數(shù)孔形成周期性圖案,且該第二周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)的相鄰兩孔中心之間的距離小于λ/m,λ表示該發(fā)光單元發(fā)出的光線通過(guò)該封裝單元后的波長(zhǎng),m表示該第二周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)的折射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二周期性次波長(zhǎng)微結(jié)構(gòu)在該透明導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的下表面以蝕刻或沉積方式所形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件結(jié)構(gòu),其特征在于,該發(fā)光單元為發(fā)光二極體晶粒。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于新世紀(jì)光電股份有限公司,未經(jīng)新世紀(jì)光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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