[實用新型]功率芯片互連結構

有效

• 申請號: 201420655030.1
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN204204848U
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 王騰;鄭靜;常永嘉;董曉偉
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十三研究所
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538
• 代理公司: 合肥天明專利事務所 34115
• 代理人: 孫永剛

1.一種功率芯片互連結構，其特征在于：所述功率芯片為肖特基功率芯片（1），所述肖特基功率芯片（1）的正極與過渡金屬片焊接互連，所述肖特基功率芯片（1）的負極與基板（4）表面焊盤（5）焊接互連，所述過渡金屬片的上表面與銅帶（3）焊接互連，所述銅帶（3）又與基板（4）表面焊盤（5）焊接互連。

2.根據權利要求1所述的功率芯片互連結構，其特征在于：所述過渡金屬片為鉬片（2），所述鉬片（2）與肖特基功率芯片（1）之間為面接觸，所述銅帶（3）呈拱形，所述鉬片（2）、基板（4）表面焊盤（5）分別在所述拱形銅帶（3）的支腳處與該銅帶（3）焊接。

3.一種功率芯片互連結構，其特征在于：所述功率芯片為MOS功率芯片（6），所述MOS功率芯片（6）的漏極與金屬過渡片焊接互連，所述MOS功率芯片（6）的源極與金屬銅框架（8）焊接互連，所述金屬過渡片與基板（4）表面焊盤（5）焊接互連，所述金屬銅框架（8）與基板（4）表面焊盤（5）焊接互連，所述金屬過渡片與金屬框架焊接材料的熔點高于MOS功率芯片（6）漏極金屬和基板（4）表面焊盤之間的焊接材料。

4.根據權利要求3所述的功率芯片互連結構，其特征在于：所述金屬過渡片為銅片（7），所述MOS功率芯片（6）和基板（4）表面焊盤分別焊接在銅片（7）的上下兩面即三者為層疊狀設置，所述金屬銅框架（8）包括兩端用于與MOS功率芯片（6）源極、基板（4）表面焊盤（5）進行焊接的平面段以及兩平面段之間的拱形連接段。