[實用新型]一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管

有效

• 申請號: 201420654359.6
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN204144267U
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 胡強;王思亮;張世勇
• 申請（專利權）人: 中國東方電氣集團有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蘇丹

1.一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：包括p型集電極（101），所述p型集電極（101）上設置有載流子擴散層（103），在所述載流子擴散層（103）上縱向設置有多根溝槽（202），所述載流子擴散層（103）上橫向設置有多排p型混合區，每排p型混合區包括多個獨立的p型活性區（1041）和p型非活性區（1042），各區塊之間被所述溝槽（202）隔開；所述每排p型混合區上的p型活性區（1041）和p型非活性區（1042）間隔設置，并且相鄰排上同一列上的p型活性區（1041）和p型非活性區（1042）間隔設置，所述每個p型活性區（1041）上設置有n型發射極（105），所述n型發射極（105）呈H型。

2.根據權利要求1所述的一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述p型集電極（101）和載流子擴散層（103）之間設置有場截止層（102），所述場截止層為重摻n型層；所述載流子擴散層（103）為輕摻n型層；所述n型發射極（105）為重摻n型層。

3.根據權利要求1或2所述的一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述每排p型混合區的橫向寬度為2um-20um，縱向寬度為2um-40um深度為2um-8um。

4.根據權利要求3所述的一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：?所述溝槽（202）包括有呈U型的薄層絕緣層（201），所述薄層絕緣層（201）內為n型填充多晶硅；所述溝槽（202）長度方向與p型混合區的長度方向垂直。

5.根據權利要求4所述的一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述溝槽（202）的寬度為0.5um-2um，深度為2um-8um，相鄰溝槽（202）之間的間距為2um-8um；所述H型的n型發射極（105）兩側邊依靠有所述薄層絕緣層（201），所述兩側邊的寬度分別為0.5um-3um，所述H型兩側邊之間的寬度為0.5um-8um，所述H型的深度為0.1um-1um。

6.根據權利要求5所述的一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述p型活性區（1041）的摻雜深度為2um-8um；所述p型非活性區（1042）的摻雜深度為2um-8um；所述p型集電極（101）的摻雜深度為0.1um-2um；所述場截止層（102）摻雜深度為2um-20um。

7.根據權利要求6所述的一種注入增強型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述p型非活性區（1042）或/和p型活性區（1041）內設置有p型發射極（106），所述p型發射極（106）為重摻p型層。