[實(shí)用新型]注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420654247.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204144266U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡強(qiáng);王思亮;張世勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)東方電氣集團(tuán)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/739 | 分類號(hào): | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務(wù)所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蘇丹 |
| 地址: | 610036 四*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 注入 增強(qiáng) 絕緣 柵雙極型 晶體管 | ||
1.一種注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:包括p型集電極(101),所述p型集電極(101)上設(shè)置有載流子擴(kuò)散層(103),在所述載流子擴(kuò)散層(103)上縱向設(shè)置有多根溝槽(202),所述載流子擴(kuò)散層(103)上橫向設(shè)置有多排p型活性區(qū)(1041)和p型非活性區(qū)(1042),p型活性區(qū)(1041)和p型非活性區(qū)(1042)構(gòu)成p型基區(qū),呈條紋狀;每排p型活性區(qū)(1041)包括多個(gè)獨(dú)立的p型活性區(qū)(1041),多個(gè)p型活性區(qū)(1041)之間被所述溝槽(202)隔開(kāi),每排p型非活性區(qū)(1042)包括多個(gè)獨(dú)立的p型非活性區(qū)(1042),多個(gè)p型非活性區(qū)(1042)之間被所述溝槽(202)隔開(kāi);所述每個(gè)p型活性區(qū)(1041)上設(shè)置有n型發(fā)射極(105),所述n型發(fā)射極(105)呈H型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述每排p型活性區(qū)(1041)和p型非活性區(qū)(1042)間隔排布;各排p型活性區(qū)(1041)之間至少間隔了一排p型非活性區(qū)(1042)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述n型發(fā)射極(105)為重?fù)絥型層,所述載流子擴(kuò)散層(103)為輕摻n型層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述p型集電極(101)和載流子擴(kuò)散層(103)之間設(shè)置有場(chǎng)截止層(102),所述場(chǎng)截止層為重?fù)絥型層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述每排p型活性區(qū)(1041)和p型非活性區(qū)(1042)的寬度為2um-20um,深度為2um-8um。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述溝槽(202)長(zhǎng)度方向與多排p型活性區(qū)(1041)和p型非活性區(qū)(1042)的長(zhǎng)度方向垂直。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述溝槽(202)包括有呈U型的薄層絕緣層(201),所述薄層絕緣層(201)內(nèi)為n型填充多晶硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述溝槽(202)的寬度為0.5um-2um,深度為2um-8um,相鄰溝槽(202)之間的間距為2um-8um,所述H型的發(fā)射極兩側(cè)邊依靠有所述薄層絕緣層(201),所述兩側(cè)邊的寬度分別為0.5um-3um,所述H型兩側(cè)邊之間的寬度為0.5um-8um,所述H型的深度為0.1um-1um。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述p型活性區(qū)(1041)的深度為2um-8um;所述p型非活性區(qū)(1042)的深度為2um-8um;所述p型集電極(101)的深度為0.1um-2um;所述場(chǎng)截止層(102)深度為2um-20um。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的注入增強(qiáng)型絕緣柵雙極型晶體管,其特征在于:所述p型活性區(qū)(1041)內(nèi)設(shè)置有p型發(fā)射極(106);所述p型發(fā)射極(106)為重?fù)絧型層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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