[實用新型]冶金多晶硅太陽能電池片及太陽能電池板有效
| 申請號： | 201420650161.0 | 申請日： | 2014-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN204167329U | 公開（公告）日： | 2015-02-18 |
| 發明（設計）人： | 和江變;李健;馬承鴻;宗靈侖;馮國江 | 申請（專利權）人： | 內蒙古日月太陽能科技有限責任公司;內蒙古大學 |
| 主分類號： | H01L31/0236 | 分類號： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 于寶慶;喬彬 |
| 地址： | 010111 內蒙古*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 冶金 多晶 太陽能電池 太陽能 電池板 | ||
【權利要求書】：
1.一種冶金多晶硅太陽能電池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太陽能電池片的一個表面為腐蝕制絨所成的絨面，所述絨面具有多個腐蝕坑，所述多個腐蝕坑的深度為3.0～3.6μm，長度為4.94～6.63μm。
2.根據權利要求1所述的冶金多晶硅太陽能電池片，其特征在于，所述多個腐蝕坑的寬度為1.41～1.43μm。
3.根據權利要求1所述的冶金多晶硅太陽能電池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太陽能電池片的表面反射率為24％-25.6％。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的冶金多晶硅太陽能電池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太陽能電池片的硅片為冶金法提純的多晶硅硅片。
5.根據權利要求4所述的冶金多晶硅太陽能電池片，其特征在于，所述冶金多晶硅太陽能電池片的硅片為經過中高溫磷吸雜處理后的冶金多晶硅片。
6.一種太陽能電池板，其特征在于，所述太陽能電池板內封裝有權利要求1-5中任一所述的冶金多晶硅太陽能電池片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
