[實用新型]并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420649368.6 | 申請日: | 2014-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN204216792U | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孔星 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東明路電力電子有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/00 | 分類號: | H02M7/00;H05K7/20 |
| 代理公司: | 佛山市名誠專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44293 | 代理人: | 呂培新 |
| 地址: | 528300 廣東省佛山市順德*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 并聯(lián) 集成 封裝 大功率 模組 | ||
1.一種并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:包括至少兩個相互并聯(lián)、并縱向堆疊或橫向排布的小功率子變流模塊,?小功率子變流模塊包括電路部分、絕緣導(dǎo)熱層和散熱體,電路部分封裝設(shè)置在絕緣導(dǎo)熱層內(nèi),電路部分包括多個IGBT芯片和多個二極管,散熱體設(shè)置在絕緣導(dǎo)熱層外表面,絕緣導(dǎo)熱層表面還設(shè)有直流電輸入端子和交流電輸出端子,電路部分連接在直流電輸入端子和交流電輸出端子之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述小功率子變流模塊內(nèi)還封裝有溫度傳感器,小功率子變流模塊表面設(shè)有溫度信號輸出端子,溫度信號輸出端子與溫度傳感器電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述絕緣導(dǎo)熱層燒結(jié)在散熱體表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述絕緣導(dǎo)熱層為燒結(jié)前呈粉狀或漿狀的絕緣導(dǎo)熱材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述散熱體表面設(shè)有散熱翅片,散熱翅片之間形成有水流通道或氣流通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述散熱體為金屬復(fù)合膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述小功率子變流模塊的電路部分包括三組相輸出電路,所述直流電輸入端子包括正極輸入端和負極輸入端,所述交流電輸出端子包括三相交流輸出端;
各組相輸出電路并聯(lián)在正極輸入端和負極輸入端之間;
所述相輸出電路包括兩個IGBT芯片,一IGBT芯片的集電極與正極輸入端電性連接,其發(fā)射極和另一IGBT芯片的集電極連接后與一相交流輸出端電性連接,另一IGBT芯片的發(fā)射極與負極輸入端電性連接;
所述IGBT芯片的集電極與發(fā)射極之間并聯(lián)有二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述小功率子變流模塊的電路部分還包括濾波電容,濾波電容連接在正極輸入端和負極輸入端之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述小功率子變流模塊的電路部分還包括熱繼電器,熱繼電器連接在交流輸出端子與相輸出電路之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述并聯(lián)式集成封裝大功率變流模組,其特征在于:所述小功率子變流模塊至少一組相對的面上分別設(shè)有相適應(yīng)的配合位。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M7-00 交流功率輸入變換為直流功率輸出;直流功率輸入變換為交流功率輸出
H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
H02M7-66 .帶有可逆變的
H02M7-68 ..用靜態(tài)變換器的
H02M7-86 ..用動態(tài)變換器的





