[實用新型]高絕緣耐壓功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201420643402.9
• 申請日: 2014-10-31
• 公開（公告）號: CN204216019U
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 李新安;劉婧;邢雁;王維;孫婭男;楊成標;周霖;孫偉
• 申請（專利權）人: 湖北臺基半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10;H01L23/24;H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 襄陽嘉琛知識產權事務所 42217
• 代理人: 嚴崇姚

1.一種高絕緣耐壓功率半導體模塊，包括外殼（2）、蓋板（14）、散熱底板（1）、電極（5）、芯片（6）、鋁墊片（3）、絕緣導熱片（4）、壓塊（7）、門極組件（8）、輔助陰極（10）、絕緣板（11）、墊塊（12）、壓板（13）、緊固螺釘（18）、門極片（16）、門極塊（15）和外殼內填充的硅凝膠或硅橡膠層（19），其特征在于：在所述的散熱底板（1）上與芯片對應的部位設有圓形凸臺；所述的外殼（2）底部設有與側壁連為一體的外殼底面，該外殼底面上設有與圓形凸臺對應的圓形通孔，正好套裝在圓形凸臺上；所述圓形凸臺的高度大于外殼底面的厚度，且圓形凸臺直徑小于絕緣導熱片（4）的直徑；在所述的芯片（6）與壓板（13）之間設有絕緣板（11）；所述的絕緣導熱片（4）、電極（5）下端、芯片（6）和壓塊（7）均位于硅凝膠或硅橡膠層（19）中。

2.根據權利要求1所述的高絕緣耐壓功率半導體模塊，其特征在于：所述的圓形凸臺可以是與散熱底板是連為一體的。

3.根據權利要求1所述的高絕緣耐壓功率半導體模塊，其特征在于：所述的圓形凸臺還可以是加裝在散熱底板（1）上的鋁墊片。

4.根據權利要求1、2或3所述的高絕緣耐壓功率半導體模塊，其特征在于：所述的外殼（2）、絕緣板（11）為PBT材質或PPS材質的外殼、絕緣板。

5.根據權利要求1、2或3所述的高絕緣耐壓功率半導體模塊，其特征在于：所述的絕緣導熱片（4）的直徑等于電極（5）下端與芯片（6）接觸部位的直徑。

6.根據權利要求1、2或3所述的高絕緣耐壓功率半導體模塊，其特征在于：所述的絕緣導熱片（4）為Be₂O₃/Al₂O₃/AlN/DBC材質的絕緣導熱片。

7.根據權利要求1、2或3所述的高絕緣耐壓功率半導體模塊，其特征在于：所述的芯片（6）為用于電力電子功率裝置的晶閘管或整流管芯片。