[實(shí)用新型]雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420635690.3
• 申請(qǐng)日: 2014-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN204118055U
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王波;向勇軍;凌茂真;向榮珍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所
• 主分類號(hào): H01L23/15
• 分類號(hào): H01L23/15
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務(wù)所 50215
• 代理人: 侯懋琪;侯春樂

技術(shù)領(lǐng)域

????本實(shí)用新型涉及一種高精度加速度計(jì)，尤其涉及一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

????加速度計(jì)是工程領(lǐng)域中的常用裝置，雙光電二極管是其中的重要器件，隨著技術(shù)的進(jìn)步，工程領(lǐng)域?qū)铀俣扔?jì)的精度、體積要求也越來越高，縮減加速度計(jì)體積的先決條件是縮減其內(nèi)部器件的體積；現(xiàn)有用于的加速度計(jì)的雙光電二極管一般采用獨(dú)立封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)中除了含有雙光電二極管外還包括了封裝殼體，這種結(jié)構(gòu)不僅較為復(fù)雜，而且封裝殼體要占用相當(dāng)一部分體積，另外，現(xiàn)有的雙光電二極管中的光電二極管一般先獨(dú)立制作然后再將兩個(gè)光電二極管拼接起來，不僅工藝較為復(fù)雜，而且由于兩個(gè)光電二極管生長(zhǎng)于不同襯底上，兩個(gè)光電二極管電學(xué)參數(shù)的均一性較差。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)背景技術(shù)中的問題，本實(shí)用新型提出了一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，其改進(jìn)在于：所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)由陶瓷基片和兩塊硅芯片組成；所述硅芯片通過樹脂粘結(jié)在陶瓷基片的同側(cè)面上，兩塊硅芯片之間留有間隙。

本實(shí)用新型的原理是：不對(duì)雙光電二極管進(jìn)行單獨(dú)封裝，直接將其設(shè)置在加速度計(jì)內(nèi)，最后與其他器件一起被加速度計(jì)的殼體封裝在內(nèi)；當(dāng)取消了雙光電二極管的獨(dú)立殼體后，基于現(xiàn)有的芯片工藝極限，雙光電二極管的體積可以縮小40%左右，十分利于加速度計(jì)體積的進(jìn)一步小型化。

優(yōu)選地，所述兩塊硅芯片由形成于同一襯底層上的一塊母片經(jīng)物理解理而成，物理解理的深度達(dá)到陶瓷基片表面，物理解理后所形成的空隙即為所述間隙。采用這種方案得到的雙光電二極管，由于其生長(zhǎng)于同一襯底層上，兩個(gè)光電二極管電學(xué)參數(shù)的均一性較好，可以使加速度計(jì)的性能得到改善。

優(yōu)選地，所述兩塊硅芯片采用串聯(lián)或并聯(lián)方式連接。

優(yōu)選地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)的外形呈立方體形，其長(zhǎng)、寬、高分別為2mm、0.75mm、1mm，所述間隙與寬度方向平行。

優(yōu)選地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)通過其陶瓷基片設(shè)置于高精度加速度計(jì)殼體內(nèi)。

本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是：可以進(jìn)一步縮減加速度計(jì)內(nèi)部器件的尺寸，利于加速度計(jì)體積的進(jìn)一步小型化。

附圖說明

圖1、本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖一（側(cè)視）；

圖2、本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖二（俯視）；

圖3、本實(shí)用新型作解理處理前的結(jié)構(gòu)示意圖（圖中視覺方向與圖1相同）；

圖中各個(gè)標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的名稱分別為：陶瓷基片1、硅芯片2、母片3、樹脂粘結(jié)層4。

具體實(shí)施方式

一種雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)由陶瓷基片1和兩塊硅芯片2組成；所述硅芯片2通過樹脂粘結(jié)在陶瓷基片1的同側(cè)面上，兩塊硅芯片2之間留有間隙。

進(jìn)一步地，所述兩塊硅芯片2由形成于同一襯底層上的一塊母片3經(jīng)物理解理而成，物理解理的深度達(dá)到陶瓷基片1表面，物理解理后所形成的空隙即為所述間隙。

進(jìn)一步地，所述兩塊硅芯片2采用串聯(lián)或并聯(lián)方式連接。

進(jìn)一步地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)的外形呈立方體形，其長(zhǎng)、寬、高分別為2mm、0.75mm、1mm，所述間隙與寬度方向平行。

進(jìn)一步地，所述雙光電二極管裸封結(jié)構(gòu)通過其陶瓷基片1設(shè)置于高精度加速度計(jì)殼體內(nèi)。