[實用新型]GOI_TDDB測試電路結構

有效

• 申請號: 201420635543.6
• 申請日: 2014-10-29
• 公開（公告）號: CN204144249U
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 朱月芹;宋永梁
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L23/62;H01L23/58
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于，所述GOI_TDDB測試電路結構至少包括：

第一焊墊、第二焊墊和第三焊墊；

多個第四焊墊，位于所述第一焊墊與所述第二焊墊之間；

多個MOS晶體管，位于所述第四焊墊與相鄰焊墊之間；所述MOS晶體管包括柵極、源極、漏極和襯底，所述MOS晶體管的柵極分別電連接至相鄰的所述第四焊墊，且各個所述MOS晶體管的柵極通過并聯支路并聯在一起并電連接至所述第一焊墊，所述MOS晶體管的源極和所述MOS晶體管的漏極電連接至所述第二焊墊相連接，所述MOS晶體管的襯底電連接至所述第三焊墊相連接；

多個二極管，位于所述各并聯支路上；所述二極管包括正極和負極；

多個保險絲，位于所述各并聯支路上。

2.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述保險絲的材質為金屬或多晶硅。

3.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述保險絲呈中間細兩短粗的長條結構。

4.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述保險絲位于所述二極管與所述MOS晶體管之間。

5.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述MOS晶體管為PMOS晶體管，所述MOS晶體管的柵極與所述二極管的正極相連接，所述第一焊墊與所述二極管的負極相連接。

6.根據權利要求5所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述第一焊墊與一負壓電源相連接，所述第二焊墊和所述第三焊墊接地。

7.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述MOS晶體管為NMOS晶體管，所述MOS晶體管的柵極與所述二極管的負極相連接，所述第一焊墊與所述二極管的正極相連接。

8.根據權利要求7所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述第一焊墊與一正壓電源相連接，所述第二焊墊和所述第三焊墊接地。

9.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述第四焊墊的個數為22個，所述MOS晶體管的個數為22個。

10.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述第一焊墊、所述第二焊墊、所述第三焊墊、所述第四焊墊和所述MOS晶體管位于同一條直線上。

11.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述第一焊墊、所述第二焊墊、所述第三焊墊和所述第四焊墊均為鋁焊墊或銅焊墊。