[實(shí)用新型]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420631683.6
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN204167325U
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡宗廷;V·格普塔;林敬偉
• 申請（專利權(quán)）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型整體涉及電子設(shè)備，并且更具體地涉及帶有具有薄膜晶體管的顯示器的電子設(shè)備。

背景技術(shù)

電子設(shè)備通常包括顯示器。例如，蜂窩電話和便攜式計(jì)算機(jī)包括用于向用戶呈現(xiàn)信息的顯示器。

顯示器諸如有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有基于發(fā)光二極管的像素陣列。在這種類型的顯示器中，每個(gè)像素均包括發(fā)光二極管和薄膜晶體管，該薄膜晶體管用于控制向發(fā)光二極管施加信號。

如果不小心，則顯示器的薄膜晶體管電路可表現(xiàn)出過量的晶體管漏電流、不足的晶體管驅(qū)動強(qiáng)度、差的面積效率、磁滯、不均勻度和其他問題。因此，期望能夠提供改進(jìn)的電子設(shè)備顯示器。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述問題，提出本公開的一些實(shí)施例，其旨在至少部分地解決現(xiàn)有技術(shù)中的一些技術(shù)問題。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括：基板；形成所述基板的有效區(qū)域的像素電路陣列；和所述基板的無效區(qū)域中的電路，其中每個(gè)像素電路包括：有機(jī)發(fā)光二極管；與所述有機(jī)發(fā)光二極管串聯(lián)耦接的硅晶體管；耦接至所述硅晶體管的存儲電容器；和耦接至所述存儲電容器的半導(dǎo)體氧化物晶體管。

可選地，所述基板在所述無效區(qū)域中是彎曲的。

可選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括電介質(zhì)層，其中所述電介質(zhì)層存在于所述有效區(qū)域中，并且其中所述電介質(zhì)層中的至少一些不存在于所述無效區(qū)域中。

可選地，每個(gè)像素電路中的所述硅晶體管包括硅溝道，其中所述電介質(zhì)層包括介于所述基板和所述硅溝道之間的緩沖層，并且其中所述緩沖層不存在于所述無效區(qū)域中。

可選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括所述有效區(qū)域中的第一金屬層，其中所述第一金屬層中的一些形成用于每個(gè)像素電路中的所述硅晶體管的柵極。

可選地，所述第一金屬層中的一些形成用于每個(gè)像素電路中的所述半導(dǎo)體氧化物晶體管的柵極。

可選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括第二金屬層，其中所述第二金屬層在所述有效區(qū)域中是圖案化的以形成用于所述硅晶體管并且用于所述半導(dǎo)體氧化物晶體管的源極-漏極端子。

可選地，所述第二金屬層在所述無效區(qū)域中是圖案化的以形成在所述像素電路陣列和所述無效區(qū)域中的電路之間耦接的數(shù)據(jù)線。

可選地，所述基板是彎曲的柔性基板，并且其中所述數(shù)據(jù)線是彎曲的并在所述基板的表面上形成，使得沒有所述電介質(zhì)層插入在所述數(shù)據(jù)線和所述基板之間。

可選地，每個(gè)像素中的所述半導(dǎo)體氧化物晶體管包括半導(dǎo)體氧化物溝道。

可選地，所述電介質(zhì)層包括氮化硅層，所述氮化硅層與每個(gè)像素電路中的所述硅晶體管的所述硅溝道重疊并且不與每個(gè)像素電路中的所述半導(dǎo)體氧化物晶體管的所述半導(dǎo)體氧化物溝道重疊。

可選地，所述存儲電容器具有由金屬的第二層形成的第一電極并且具有第二電極。

可選地，所述電介質(zhì)層包括另外的氮化硅層，其中所述另外的氮化硅層插入在每個(gè)像素電路中的所述存儲電容器的所述第一電極和所述第二電極之間。

可選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括氧化硅層，所述氧化硅層與每個(gè)像素電路中的所述半導(dǎo)體氧化物溝道重疊并且所述氧化硅層在每個(gè)像素電路的所述存儲電容器中局部移除，使得沒有所述氧化硅層插入所述存儲電容器的所述第一電極和所述第二電極之間。

可選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括從所述有效區(qū)域向所述無效區(qū)域延伸的數(shù)據(jù)線，其中所述電介質(zhì)層具有當(dāng)從所述有效區(qū)域向所述無效區(qū)域過渡時(shí)在高度上減小的階梯式外形，并且其中所述數(shù)據(jù)線在具有所述階梯式外形的所述電介質(zhì)層上形成。

可選地，每個(gè)像素電路中的所述半導(dǎo)體氧化物晶體管包括驅(qū)動晶體管，并且其中每個(gè)像素電路中的所述硅晶體管包括開關(guān)晶體管。

根據(jù)本公開的另一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括：有機(jī)發(fā)光二極管陣列；各自與所述有機(jī)發(fā)光二極管中的相應(yīng)的一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管串聯(lián)耦接的硅驅(qū)動晶體管；和耦接至所述硅晶體管的半導(dǎo)體氧化物開關(guān)晶體管。

可選地，所述半導(dǎo)體氧化物開關(guān)晶體管各自具有半導(dǎo)體氧化物溝道，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括與所述硅驅(qū)動晶體管重疊并且不與所述半導(dǎo)體氧化物溝道重疊的氮化硅層。

可選地，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括：耦接至所述半導(dǎo)體氧化物開關(guān)晶體管的存儲電容器；和與所述半導(dǎo)體氧化物溝道重疊并且不與所述存儲電容器重疊的氧化硅層。