[實(shí)用新型]一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420631439.X
• 申請(qǐng)日: 2014-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204130548U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 永山和由;宋松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及柔性顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，研發(fā)人員開(kāi)發(fā)出了可折疊或卷起的柔性顯示裝置，與傳統(tǒng)的剛性顯示裝置(即制作在玻璃等不可彎曲的基材上的顯示裝置)相比，柔性顯示裝置具有諸多優(yōu)勢(shì)，如重量輕、體積小、攜帶更為方便；更高的耐沖擊性以及更強(qiáng)的抗震性能。

如圖1所示，柔性顯示裝置目前面臨的主要問(wèn)題是在彎曲時(shí)，像素單元或周邊驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)01容易在有源層20、源極61及漏極62對(duì)應(yīng)區(qū)域發(fā)生圖案的斷裂，導(dǎo)致TFT的源極61與漏極62無(wú)法導(dǎo)通，使得相應(yīng)的信號(hào)電壓無(wú)法傳輸至像素電極或相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)內(nèi)，以至于顯示不良。

因此，如何使TFT的圖案在彎曲狀態(tài)下不易發(fā)生斷裂是目前亟待解決的技術(shù)難點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置，可減小該薄膜晶體管在彎曲時(shí)發(fā)生圖案斷裂的幾率，使顯示裝置在彎曲狀態(tài)下也能夠保證正常的顯示。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一方面、本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括依次位于柔性襯底之上的有源層、柵絕緣層、柵極、層間絕緣層、以及源極和漏極；所述薄膜晶體管還包括分別貫通所述層間絕緣層和所述柵絕緣層的至少1個(gè)第一過(guò)孔和至少1個(gè)第二過(guò)孔；所述源極、所述漏極分別通過(guò)所述第一過(guò)孔、所述第二過(guò)孔與所述有源層相接觸；其中，所述有源層的圖形、所述柵極的圖形、所述源極的圖形、以及所述漏極的圖形均為防斷裂結(jié)構(gòu)圖形。

可選的，所述防斷裂結(jié)構(gòu)圖形包括環(huán)形、曲線、折線中至少一種圖形。

優(yōu)選的，所述環(huán)形包括正方形環(huán)、長(zhǎng)方形環(huán)、菱形環(huán)、圓形環(huán)。

可選的，所述有源層的圖形由1個(gè)所述環(huán)形構(gòu)成。

可選的，所述有源層的圖形由2個(gè)所述環(huán)形組成的8字型雙環(huán)構(gòu)成，或，所述有源層的圖形由1個(gè)所述環(huán)形以及與所述環(huán)形相交的曲線或折線構(gòu)成。

可選的，所述柵極的圖形由曲線、或折線、或1個(gè)所述環(huán)形構(gòu)成。

可選的，所述源極的圖形由曲線或折線構(gòu)成；所述漏極的圖形由曲線或折線構(gòu)成。

可選的，所述有源層的圖形由N個(gè)單元圖形平行排列構(gòu)成；所述單元圖形由2個(gè)所述環(huán)形組成的8字型雙環(huán)構(gòu)成，或，所述單元圖形由1個(gè)所述環(huán)形以及與所述環(huán)形相交的曲線或折線構(gòu)成；所述柵極的圖形由N個(gè)所述環(huán)形平行排列構(gòu)成，或，所述柵極的圖形由N段曲線或N段折線構(gòu)成；所述源極的圖形由N段曲線或N段折線構(gòu)成；所述漏極的圖形由N段曲線或N段折線構(gòu)成；其中，N為大于等于2的正整數(shù)。

在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，其特征在于，所述有源層為低溫多晶硅有源層。

另一方面、本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括上述的薄膜晶體管。

再一方面、本實(shí)用新型實(shí)施例又提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例中，由于所述薄膜晶體管中的所述有源層的圖形、所述柵極的圖形、所述源極的圖形、以及所述漏極的圖形均為防斷裂結(jié)構(gòu)圖形，這樣的圖形在整體發(fā)生彎曲時(shí)可以使張力部分分散，從而減小了柔性顯示裝置彎曲時(shí)導(dǎo)致薄膜晶體管中的圖形斷裂的幾率，保證了柔性顯示裝置能夠正常顯示。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖3為沿圖2中A-A′方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管中的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管中的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管中的結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管中的結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管中的結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管中的結(jié)構(gòu)示意圖七。

附圖標(biāo)記：