[實(shí)用新型]一種新型雙開關(guān)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420615389.6
• 申請(qǐng)日: 2014-10-23
• 公開（公告）號(hào): CN204190735U
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟四利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州格力博有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/567
• 分類號(hào): H03K17/567
• 代理公司: 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 張漢欽

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種開關(guān)，特別是涉及一種新型雙開關(guān)。

背景技術(shù)

直接用大電流開關(guān)開啟/關(guān)閉馬達(dá)負(fù)載，這種方法簡(jiǎn)單，成本低。但是存在問題：當(dāng)開關(guān)電壓較高，開關(guān)電流較大時(shí)，觸點(diǎn)容量很大，很容易燒壞開關(guān)。通常可以通過選用更大更好的機(jī)械開關(guān)解決上述問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種新型雙開關(guān)，利用將開關(guān)瞬間損耗從機(jī)械開關(guān)轉(zhuǎn)移到MOS管從而保護(hù)機(jī)械開關(guān)，但同時(shí)保留機(jī)械開關(guān)滿足安全規(guī)范的要求，利用MOSFET（金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管，以下簡(jiǎn)稱MOS）電開關(guān)容量很大，將瞬間火花從硬開關(guān)轉(zhuǎn)移到MOS從而保護(hù)機(jī)械開關(guān)。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種新型雙開關(guān)，包括：電池包、電源模塊、中央處理器、面板開關(guān)，所述電池包、電源模塊、中央處理器、面板開關(guān)之間電性連接。

在一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述新型雙開關(guān)還包含有大電流開關(guān)、三相電橋和過流保護(hù)模塊，所述大電流開關(guān)、三相電橋和過流保護(hù)模塊之間電性連接，且所述大電流開關(guān)與電池包之間電性連接，所述過流保護(hù)模塊與中央處理器之間電性連接。

在一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述新型雙開關(guān)還包含有一個(gè)馬達(dá)，所述馬達(dá)位于大電流開關(guān)和三相電橋之間，與大電流開關(guān)和三相電橋電性連接，所述中央處理器檢測(cè)調(diào)速信號(hào)，從而將三相電橋開通、帶動(dòng)馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)。

在一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述三相橋和過流保護(hù)模塊之間連接有取樣電阻模塊。

在一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述中央處理器和三相電橋之間連接有驅(qū)動(dòng)模塊。

在一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述三相電橋中包含金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管。

本實(shí)用新型的有益效果是：利用將開關(guān)瞬間損耗從機(jī)械開關(guān)轉(zhuǎn)移到MOS管從而保護(hù)機(jī)械開關(guān)，但同時(shí)保留機(jī)械開關(guān)滿足安全規(guī)范的要求，利用MOSFET（金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管，以下簡(jiǎn)稱MOS）電開關(guān)容量很大，將瞬間火花從硬開關(guān)轉(zhuǎn)移到MOS從而保護(hù)機(jī)械開關(guān)。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1是本實(shí)用新型的一種新型雙開關(guān)一較佳實(shí)施例的控制原理圖。

具體實(shí)施方式

下面將對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例包括：

提供一種新型雙開關(guān)，包括：電池包、電源模塊、中央處理器、面板開關(guān)，所述電池包、電源模塊、中央處理器、面板開關(guān)之間電性連接。

所述新型雙開關(guān)還包含有大電流開關(guān)、三相電橋和過流保護(hù)模塊，所述大電流開關(guān)、三相電橋和過流保護(hù)模塊之間電性連接，且所述大電流開關(guān)與電池包之間電性連接，所述過流保護(hù)模塊與中央處理器之間電性連接。

所述新型雙開關(guān)還包含有一個(gè)馬達(dá)，所述馬達(dá)位于大電流開關(guān)和三相電橋之間，與大電流開關(guān)和三相電橋電性連接，所述中央處理器檢測(cè)調(diào)速信號(hào)，從而將三相電橋開通、帶動(dòng)馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)。

所述三相橋和過流保護(hù)模塊之間連接有取樣電阻模塊。

所述中央處理器和三相電橋之間連接有驅(qū)動(dòng)模塊。

所述三相電橋中包含金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管。

在本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例中，現(xiàn)代MOS技術(shù)使電子開關(guān)能夠承受的瞬間功率很大，承受的瞬間脈沖電流可以達(dá)到幾百安培，所以MOS開關(guān)可以代替機(jī)械開關(guān)。

開機(jī)時(shí)，電源開關(guān)開通，MCU（中央處理器，下同）得電，準(zhǔn)備工作完成，同時(shí)MCU給出維持信號(hào)使電源部分的MOS保持導(dǎo)通，按下扳機(jī)，主開關(guān)（K1）通，這時(shí)三相MOS電橋的MOS未開通，沒有電流流過主開關(guān)，實(shí)現(xiàn)了主開關(guān)的零電壓開，無開通損耗。等扳機(jī)行程達(dá)到某點(diǎn)時(shí)，MCU檢測(cè)到調(diào)速信號(hào)后將三相MOS電橋的MOS開通。馬達(dá)轉(zhuǎn)。

關(guān)機(jī)時(shí)，有兩種方法使馬達(dá)停轉(zhuǎn)：

1.?再次按下S1，MCU接到信號(hào)后關(guān)斷三相MOS電橋的MOS，馬達(dá)斷電。這時(shí)松開扳機(jī)，主開關(guān)K1后斷，主開關(guān)在零電流關(guān)斷，沒有損耗。

2.直接松開扳機(jī)，MCU檢測(cè)調(diào)速信號(hào)，達(dá)到較小的值時(shí)，關(guān)斷三相MOS電橋的MOS，馬達(dá)停轉(zhuǎn)，主開關(guān)斷開。