[實(shí)用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420613618.0
• 申請日: 2014-10-22
• 公開（公告）號: CN204130536U
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝振宇
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體可以涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

低溫多晶硅(LTPS：Low?Temperature?Poly-Silicon)技術(shù)是新一代的薄膜晶體管(TFT：Thin?Film?Transistor)顯示裝置制造工藝，LTPS?TFT顯示裝置具有更快的響應(yīng)時間，更高的分辨率，因此具有更佳的畫面顯示品質(zhì)。在形成顯示裝置外圍的電路時使用LTPS技術(shù)，能夠減少集成電路(IC)，簡化顯示裝置的外圍，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)窄邊框技術(shù)。

LTPS技術(shù)雖然得到大力發(fā)展，但是LTPS?TFT仍然存在漏電流(leakage?Current)無法有效抑制以及產(chǎn)生熱量過大的問題。其中，LTPS?TFT產(chǎn)生熱量過大的問題是由于LTPS?TFT在水平方向電場較大，電子在電場加速的作用下，引起碰撞電離所導(dǎo)致的。LTPS?TFT產(chǎn)生熱量過大會導(dǎo)致以下幾方面的影響：過多的熱導(dǎo)致晶格散射，造成玻璃基板中如鈉金屬擴(kuò)散至有源區(qū)，從而影響LTPS?TFT的閾值電壓(Vth)；在飽和區(qū)產(chǎn)生負(fù)阻現(xiàn)象，使得載流子遷移率與導(dǎo)通電流下降；長期的影響會導(dǎo)致LTPS?TFT特性惡化，影響產(chǎn)品品質(zhì)。

通過研究發(fā)現(xiàn)，在LTPS?TFT的有源區(qū)采用輕摻雜漏區(qū)(LDD：Lightly?Doped?Drain)的結(jié)構(gòu)設(shè)置，可有效降低LTPS?TFT熱量的產(chǎn)生，且LTPS?TFT的漏電流也隨著降低。這是因?yàn)椋捎贚DD的阻值相對較高，等效于串聯(lián)了一個阻值較大的電阻，因此降低了LTPS?TFT水平方向的電場強(qiáng)度，改善了LTPS?TFT溝道電場分布，從而降低電場加速引起的碰撞電離產(chǎn)生的熱載流子的幾率，同時有效抑制漏電流的產(chǎn)生。

但是，現(xiàn)有技術(shù)存在一個技術(shù)矛盾點(diǎn)，即當(dāng)LDD長度過短時，LDD失去了降低熱量產(chǎn)生以及抑制漏電流的效果，而當(dāng)LDD過長時，增加LTPS?TFT功率的消耗，并影響了顯示裝置的開口率。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，從而可在確保開口率的前提下，有效降低低溫多晶硅薄膜晶體管的熱量產(chǎn)生以及有效抑制多晶硅薄膜晶體管的漏電流。

本實(shí)用新型提供方案如下：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：

基板之上依次設(shè)置的有源層、柵絕緣層以及柵電極層，其中，所述有源層在水平方向上依次設(shè)置有第一重?fù)诫s區(qū)、第一低摻雜區(qū)、第一非摻雜區(qū)、第二低摻雜區(qū)、第二非摻雜區(qū)、第三低摻雜區(qū)、第二重?fù)诫s區(qū)。

優(yōu)選的，所述第二低摻雜區(qū)設(shè)置于所述有源層水平方向上的中間位置。

優(yōu)選的，所述柵電極層的圖案在陣列基板上的投影區(qū)域，覆蓋于所述第一低摻雜區(qū)、第一非摻雜區(qū)、第二低摻雜區(qū)、第二非摻雜區(qū)、第三低摻雜區(qū)在陣列基板上的投影區(qū)域。

優(yōu)選的，所述柵電極層包括第一柵電極圖案和第二柵電極圖案；

所述第一柵電極圖案在陣列基板上的投影區(qū)域，覆蓋所述第一非摻雜區(qū)在陣列基板上的投影區(qū)域；

所述第二柵電極圖案在陣列基板上的投影區(qū)域，覆蓋所述第二非摻雜區(qū)在陣列基板上的投影區(qū)域。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括：

設(shè)置于基板與有源層之間的第一絕緣層。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括：

設(shè)置于所述柵絕緣層以及柵電極層之上的第二絕緣層；

設(shè)置于所述第二絕緣層之上的源漏電極層，所述源漏電極層中包括源電極線和漏電極線，其中，所述源電極線通過貫穿所述第二絕緣層和柵絕緣層中的第一過孔與所述第一重?fù)诫s區(qū)電連接，所述漏電極線通過貫穿所述第二絕緣層和柵絕緣層的第二過孔與所述第二重?fù)诫s區(qū)電連接；

設(shè)置于所述源漏電極層之上的鈍化層；

設(shè)置于所述鈍化層之上的像素電極層，所述像素電極層通過設(shè)置于所述鈍化層中的第三過孔與所述漏電極線電連接。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括：

設(shè)置于所述鈍化層和像素電極層之上的保護(hù)層；

設(shè)置于所述保護(hù)層之上的公共電極層。

優(yōu)選的，所述第一低摻雜區(qū)、第二低摻雜區(qū)和第三低摻雜區(qū)的長度為1至3微米，低摻雜區(qū)離子注入濃度為5至30ions/厘米²。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置具體可以包括上述本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板。