[實用新型]一種化學氣相沉積裝置有效
| 申請號: | 201420600623.8 | 申請日: | 2014-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN204111865U | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 許亮 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 100176 北京市大興區大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 化學 沉積 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種半導體制程設備,特別是涉及一種化學氣相沉積裝置。
背景技術
在半導體生產技術中,特別是在化學氣相沉積的過程中,在晶圓上沉積薄膜厚度的均勻性通常是該化學氣相沉積工藝是否成功的關鍵所在,而化學氣相沉積設備決定著能否有效地實現化學氣相沉積工藝,化學氣相沉積設備中決定薄膜沉積均勻性的關鍵因素之一是用于承載晶圓的托盤每上下移動一次的距離(步長),該步長如果太大則不利于提高薄膜的均勻性。
如圖1a所示,通常現有技術中化學氣相沉積裝置用于實現托盤上下移動的底座中包含有固定板01,固定板01為固定在某個裝置上不能隨托盤上下運動而變動的板,安裝在固定板表面的調節板02,該調節板上設有若干用于將所述調節板固定于固定板上的通孔03,通常通孔03為兩列并行排布且穿透所述調節板表面的通孔,在所述通孔中嵌有螺栓04,所述螺栓的頭部緊固與所述固定板上,尾部支撐在所述通孔中;該裝置中支柱05安裝在調節板上,承載晶圓的托盤06被支撐在所述支柱的一端。調節板上每列通孔與相鄰通孔之間的距離為每次上移或下移的距離。
在實現托盤上下移動的過程中,只要將調節板上通孔中的螺栓拿出,將調節板上移或下移后再將螺栓擰入相應的通孔中固定調節板;如圖1a所示,表示的是現有技術中的化學氣相沉積裝置中調節板在初始位置的結構示意圖。圖1a中,螺栓固定在第二和第三行;在托盤向上移動一次后,得到如圖1b所示的結構示意圖。其中螺栓被嵌于第一和第二行的通孔中;同樣,若將調節板下移,則得到如圖1c所示的結構示意圖,其中螺栓被嵌于第三和第四行中。
現有技術中的調節板在一次上移或下移的過程中最小的移動距離為10毫米,即每列通孔中相鄰兩個通孔之間的距離。而該距離對于沉積薄膜來說步長太大,不能夠很精確的控制沉積薄膜的均勻性。
因此,有必要提出一種新的化學氣相沉積裝置來避免上述現象的發生,使得沉積在晶圓上的薄膜更加均勻,有效提高產品的良率。
實用新型內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本實用新型的目的在于提供一種化學氣相沉積裝置,用于解決現有技術中由于化學氣相沉積托盤一次上下移動距離太大而造成沉積在晶圓上的薄膜不均勻的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本實用新型提供一種化學氣相沉積裝置,所述裝置至少包括:表面在豎直平面內且相互平行的固定板和調節板;所述調節板上設有穿透其表面的槽;所述槽由若干并行分布的單元槽組成,每個單元槽包含兩列均勻分布且相互貫通的通孔;該兩列通孔彼此交錯分布且相鄰交錯通孔之間的垂直距離小于10毫米;所述固定板表面設有與所述每個通孔一一對應的螺紋孔;將所述調節板固定于所述固定板上的螺栓組件;所述螺栓組件包含嵌于所述通孔中的支撐塊、緊固于所述螺紋孔中的螺絲以及固定于所述螺絲一端且位于所述固定板和調節板之間的方形塊;所述螺絲位于與該方形塊接觸面的非中心位置;由一支柱的一端支撐且用于承載晶圓的托盤;該支柱的另一端固定于所述調節板。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述槽有兩個并行分布的單元槽組成。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述通孔的形狀和面積與所述支撐塊的形狀和面積分別相同。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述每個單元槽中相鄰兩個交錯分布的通孔之間的垂直距離為5毫米。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述每個單元槽中的每列通孔個數為5個。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述螺絲的直徑為2毫米;該螺絲落在所述方形塊上的中心位置與該方形塊其中一組平行邊的距離分別為1毫米和2毫米。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述螺絲落在所述方形塊上的中心位置與該方形塊的另一組平行邊的距離分別為1毫米和2毫米。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述支撐塊與所述方形塊接觸的表面形狀為正方形,該支撐塊嵌于所述調節板中的厚度與所述調節板的厚度相同。
作為本實用新型的化學氣相沉積裝置的一種優選方案,所述方形塊固定于所述支撐塊的中央位置。
如上所述,本實用新型的化學氣相沉積裝置,具有以下有益效果:可以解決現有技術中由于化學氣相沉積托盤一次上下移動距離太大而造成沉積在晶圓上的薄膜不均勻的問題。利用本實用新型的化學氣相沉積裝置可以實現對托盤上下移動距離的微調,使得晶圓上沉積薄膜的更加均勻,提高產品的良率。
附圖說明
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C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





