[實用新型]一種焊墊結構有效
| 申請號: | 201420600038.8 | 申請日: | 2014-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN204230230U | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 王昆;仝海躍;張京晶 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 結構 | ||
1.一種焊墊結構,形成于芯片的頂層金屬層上,其特征在于,所述焊墊結構至少包括:焊墊主體和形成在所述焊墊主體至少一側的金屬緩沖線結構。
2.根據權利要求1所述的焊墊結構,其特征在于:所述金屬緩沖線結構為形成在所述焊墊主體至少兩側的連續結構。
3.根據權利要求2所述的焊墊結構,其特征在于:所述金屬緩沖線結構為形成在所述焊墊主體四周的封閉結構。
4.根據權利要求1所述的焊墊結構,其特征在于:所述金屬緩沖線結構形成于與所述焊墊主體處于同一層面的鈍化層中。
5.根據權利要求1所述的焊墊結構,其特征在于:所述金屬緩沖線結構為形成在所述焊墊主體至少兩側的非連續結構。
6.根據權利要求2或5所述的焊墊結構,其特征在于:從所述焊墊主體向外數,所述金屬緩沖線結構為至少一層,每一層金屬緩沖線結構之間的間隔為幾個微米。
7.根據權利要求1所述的焊墊結構,其特征在于:所述金屬緩沖線結構的材料為銅或者鋁。
8.根據權利要求4所述的焊墊結構,其特征在于:所述鈍化層包括SiN和SiO2。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(北京)有限公司,未經中芯國際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420600038.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:整流二極管引線
- 下一篇:一種快速完成芯片扣邊片作業的模具及模具存放裝置





