[實(shí)用新型]陶瓷壓環(huán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420597848.2
• 申請(qǐng)日: 2014-10-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204102877U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈笑;廖海濤;繆海兵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫邑文電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/687
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/687
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;韓鳳

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種陶瓷壓環(huán)，用于半導(dǎo)體制造業(yè)中晶片的固定。

背景技術(shù)

陶瓷壓環(huán)用于壓住晶片固定晶片位置。晶片在腔體中反應(yīng)有時(shí)會(huì)發(fā)生滑動(dòng)，當(dāng)反應(yīng)完后由于滑動(dòng)，會(huì)導(dǎo)致無(wú)法將晶片傳送出來(lái)。用陶瓷壓環(huán)將晶片壓住，當(dāng)反應(yīng)完成后就可以順利的將晶片傳送出來(lái)。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種陶瓷壓環(huán)，能夠配合特定的外環(huán)，將晶片在反應(yīng)過(guò)程中固定在反應(yīng)腔體內(nèi)。

按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述的陶瓷壓環(huán)包括正、反面互相平行的陶瓷環(huán)主體，所述陶瓷環(huán)主體內(nèi)圈向下形變形成一圈凹陷部，凹陷部正面包括一圈側(cè)壁和一個(gè)圓環(huán)底面，所述圓環(huán)底面的內(nèi)圓有一段為直線，該段直線位于圓環(huán)內(nèi)圓65度弧范圍內(nèi)；凹陷部反面與陶瓷環(huán)主體反面形成一個(gè)凸出的90度臺(tái)階；所述陶瓷環(huán)主體上設(shè)有六個(gè)螺紋孔呈圓周分布。陶瓷環(huán)主體的外邊沿與瓷環(huán)主體的正、反面垂直。

所述六個(gè)螺紋孔中心與陶瓷環(huán)主體圓心連線的夾角分別為60度、60度、60度、60度、65度和55度，所述圓環(huán)底面的一段直線位于夾角65度的兩個(gè)螺紋孔的夾角內(nèi)。

所述螺紋孔在陶瓷環(huán)主體正面孔口具有倒角。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：當(dāng)晶片在腔體反應(yīng)時(shí)將晶片壓住，防止晶片滑動(dòng)，提高生產(chǎn)效率。該結(jié)構(gòu)加工簡(jiǎn)單，節(jié)約生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的正面圖。

圖2是本實(shí)用新型的反面圖。

圖3是本實(shí)用新型的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1-3所示，本實(shí)用新型包括正、反面互相平行的陶瓷環(huán)主體1，陶瓷環(huán)主體1內(nèi)圈向下形變形成一圈凹陷部2，凹陷部2正面包括一圈側(cè)壁和一個(gè)圓環(huán)底面，所述圓環(huán)底面的內(nèi)圓有一段為直線，該段直線位于圓環(huán)內(nèi)圓65度弧范圍內(nèi)。該圓環(huán)底面即為陶瓷壓環(huán)的平邊。凹陷部2反面與陶瓷環(huán)主體1反面形成一個(gè)凸出的90度臺(tái)階3。陶瓷環(huán)主體1的外邊沿與瓷環(huán)主體1的正、反面垂直。陶瓷環(huán)主體1厚度為2.9mm，陶瓷壓環(huán)整體厚度為6.38mm。

陶瓷環(huán)主體1上設(shè)有六個(gè)螺紋孔4，呈圓周分布。六個(gè)螺紋孔4中心與陶瓷環(huán)主體1圓心連線的夾角分別為60度、60度、60度、60度、65度和55度，所述圓環(huán)底面的一段直線位于夾角65度的兩個(gè)螺紋孔4的夾角內(nèi)。

如圖1，2所示，所述螺紋孔4在陶瓷環(huán)主體1正面孔口具有倒角，反面孔口沒(méi)有倒角。

該陶瓷壓環(huán)通過(guò)螺紋孔4固定在外環(huán)上，然后晶片的平邊與陶瓷壓環(huán)的平邊相重疊，再經(jīng)過(guò)臺(tái)階3一面施加壓力將晶片壓住。當(dāng)晶片在腔體反應(yīng)時(shí)防止晶片滑動(dòng)，這樣晶片完成反應(yīng)后就可以順利的從腔體里傳送出來(lái)。