[實(shí)用新型]鋁質(zhì)壓環(huán)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420597620.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204088289U | 公開(公告)日: | 2015-01-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈笑;廖海濤;繆海兵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無錫邑文電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;韓鳳 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新區(qū)菱湖*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鋁質(zhì)壓環(huán) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種鋁質(zhì)壓環(huán),用于半導(dǎo)體制造業(yè)中晶片的固定。
背景技術(shù)
鋁質(zhì)壓環(huán)用于壓住晶片固定晶片位置。晶片在腔體中反應(yīng)有時(shí)會(huì)發(fā)生滑動(dòng),當(dāng)反應(yīng)完后由于滑動(dòng),會(huì)導(dǎo)致無法將晶片傳送出來。用鋁質(zhì)壓環(huán)將晶片壓住,當(dāng)反應(yīng)完成后就可以順利的將晶片傳送出來。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種鋁質(zhì)壓環(huán),能夠配合特定腔體,將晶片在反應(yīng)過程中壓住固定。
按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案,所述的鋁質(zhì)壓環(huán)包括鋁環(huán)主體,鋁環(huán)主體的正、反面互相平行,所述鋁環(huán)主體內(nèi)圈向下形變形成一圈凹陷部,凹陷部正面的形狀為一個(gè)圓環(huán),所述圓環(huán)內(nèi)圓有一段為直線,該段直線位于圓環(huán)內(nèi)圓65度弧范圍內(nèi);所述鋁環(huán)主體向外具有六個(gè)延伸部,每個(gè)延伸部上具有一個(gè)螺孔。
所述六個(gè)延伸部圍繞鋁環(huán)主體一周分布,夾角分別為60度、60度、60度、60度、65度和55度,所述圓環(huán)內(nèi)圓的一段直線位于夾角65度的兩個(gè)延伸部與鋁環(huán)主體圓心連線的夾角內(nèi)。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:當(dāng)晶片在腔體反應(yīng)時(shí)將晶片壓住,防止晶片滑動(dòng),提高生產(chǎn)效率。采用這種結(jié)構(gòu)節(jié)省材料,節(jié)約生產(chǎn)成本。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的主視圖。
圖2是本實(shí)用新型的剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
如圖1,2所示,本實(shí)用新型包括鋁環(huán)主體1,鋁環(huán)主體1的正、反面互相平行,所述鋁環(huán)主體1內(nèi)圈向下形變形成一圈凹陷部2,凹陷部2正面的形狀為一個(gè)圓環(huán),即為鋁質(zhì)壓環(huán)的平邊。所述圓環(huán)內(nèi)圓有一段為直線,該段直線位于圓環(huán)內(nèi)圓65度弧范圍內(nèi)。鋁環(huán)主體1的厚度為3.2mm,鋁質(zhì)壓環(huán)的整體厚度為6.3mm。
如圖1所示,所述鋁環(huán)主體1向外具有六個(gè)延伸部3,每個(gè)延伸部3上具有一個(gè)螺孔4。所述六個(gè)延伸部3圍繞鋁環(huán)主體1一周分布,夾角分別為60度、60度、60度、60度、65度和55度,所述圓環(huán)內(nèi)圓的一段直線位于夾角65度的兩個(gè)延伸部3與鋁環(huán)主體1圓心連線的夾角內(nèi)。
該鋁質(zhì)壓環(huán)通過螺孔4固定在反應(yīng)腔體的陶瓷環(huán)上,然后晶片的平邊與鋁質(zhì)壓環(huán)的平邊相重疊后將晶片壓住。當(dāng)晶片在腔體反應(yīng)時(shí)防止晶片滑動(dòng),這樣晶片完成反應(yīng)后就可以順利的從腔體里傳送出來。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫邑文電子科技有限公司,未經(jīng)無錫邑文電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420597620.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





