[實用新型]一種OLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420592590.7
• 申請日: 2014-10-15
• 公開（公告）號: CN204102944U
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓愛英;趙曉宇;宋文志
• 申請（專利權(quán)）人: 宇瑞(上海)化學(xué)有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

?本實用新型屬于光電顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED器件。

背景技術(shù)

OLED即Organic?Light?Emitting?Diode的英文縮寫，譯為有機發(fā)光二極管。OLED不需背光源、省電、亮度更高、成本更低的特點，使其得到了國內(nèi)外眾多企業(yè)的廣泛關(guān)注。

陸續(xù)有廠家把OLED技術(shù)應(yīng)用在數(shù)碼相機、手機、MP3等數(shù)字產(chǎn)品的顯示屏幕上，從此OLED顯示器的制造和生產(chǎn)呈現(xiàn)出如火如荼、方興未艾之勢。隨著OLED技術(shù)難點不斷被攻克，成本和價格也逐年下降，市場需求也隨著迅速升溫，應(yīng)用OLED的終端產(chǎn)品也越來越多。

OLED的發(fā)光機理是在外加電場的作用下，電子和空穴分別從正負(fù)兩極注入有機發(fā)光材料，從而在該有機發(fā)光材料中進(jìn)行遷移、復(fù)合并衰減而發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種新型OLED器件。

本實用新型的技術(shù)方案是：

一種OLED器件，包括依次排列的ITO陽極、有機功能層和陰極，所述有機功能層由依次排列的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層組成，所述陽極與所述空穴注入層相連，所述電子注入層與所述陰極相連，所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間還有空穴阻擋層。

優(yōu)選的，所述空穴阻擋層的厚度為9nm-13nm。

優(yōu)選的，所述陰極為鋰、鎂、鋁中的任一種。

優(yōu)選的，所述空穴阻擋層的材料為2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸層的材料為N,N-二聯(lián)苯基-4-（4'-溴苯基）苯胺。

優(yōu)選的，所述N,N-二聯(lián)苯基-4-（4'-溴苯基）苯胺是以二（4-溴苯基）胺為原料合成的。

上述名詞的簡稱如下：

空穴注入層為HIL，空穴傳輸層為HTL，發(fā)光層為EML，電子傳輸層為ETL，電子注入層EIL，ITO為銦錫氧化物。

工作原理：

一般來說EML的厚度通常在100nm，雖然制備方法簡單，但復(fù)合發(fā)光區(qū)靠近金屬電極，且電子和空穴注入不平衡。如何有效地解決電子和空穴的復(fù)合區(qū)遠(yuǎn)離電極和平衡載流子注入速率問題，是構(gòu)造器件應(yīng)考慮的主要問題。而空穴的注入效率要遠(yuǎn)高于電子的注入效率，從而造成電子和空穴注入的不平衡，不利于激子的形成。本實用新型采用在HTL和ETL間加入空穴阻擋層來限制空穴的擴散。

本實用新型優(yōu)點：限制空穴擴散的空穴阻擋層，可以有效地調(diào)節(jié)載流子的復(fù)合區(qū)域，保持空穴和電子的平衡，獲得所需顏色光的發(fā)射。

附圖說明

圖1為本實用新型示意圖。

圖1中的標(biāo)號為：1-ITO陽極，2-空穴注入層，3-空穴傳輸層，4-空穴阻擋層，5-發(fā)光層，6-電子傳輸層，7-電子注入層，8-陰極。????

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例，進(jìn)一步闡述本實用新型。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實用新型作各種修改或改動，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。

實施例1

一種OLED器件，包括依次排列的ITO陽極、有機功能層和陰極，所述有機功能層由依次排列的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層組成，所述陽極與所述空穴注入層相連，所述電子注入層與所述陰極相連，所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層之間還有空穴阻擋層。

采用AL為陰極，2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲為空穴阻擋層，該材料的CAS號為4733-39-5，可以從市面中購買到。

控制空穴阻擋層的厚度為9nm。

此時，空穴阻擋層有效地阻擋了空穴,?同時還具有適當(dāng)?shù)淖畹臀凑加蟹肿榆壍溃↙UMO）?能級和較高的電子輸運能力，以有利于電子的注入，平衡復(fù)合區(qū)載流子濃度，從而提高器件效率。

同理，本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過實驗可以得出，空穴阻擋層的厚度為10nm、11nm、12nm、13nm時，空穴阻擋層仍然有效地阻擋了空穴。

同理，本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過實驗可以得出，Mg和Li也同樣可以作為陰極，并得到較好效果。

所述空穴傳輸層的材料為N,N-二聯(lián)苯基-4-（4'-溴苯基）苯胺，CAS號為CAS:728039-63，該產(chǎn)品可以從市面上購買得到，但以二（4-溴苯基）胺為原料合成得到的產(chǎn)品品質(zhì)最優(yōu)。