[實用新型]一種新型溝槽MOSFET單元

有效

• 申請號: 201420588567.0
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN204271088U
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 黃澤軍
• 申請（專利權）人: 深圳市銳駿半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型溝槽MOSFET單元，其特征在于，包括MOSFET襯底及其上形成的外延層，形成在該外延層內的溝槽及被溝槽分割的輕摻雜區，在溝槽的內表面形成有第一介質層，在溝槽內的第一介質層上形成有導電的填充層，在輕摻雜區內形成有重摻雜區，該溝槽MOSFET還包括外圍金屬層，柵極金屬層，源極金屬層和漏極金屬層、離子摻雜區。

2.根據權利要求1所述溝槽MOSFET單元，其特征在于，所述離子摻雜區中的離子根據外延層設置。

3.????根據權利要求2所述溝槽MOSFET單元，其特征在于，所述離子摻雜區設置在刻蝕完成的溝槽上。

4.根據權利要求3所述溝槽MOSFET單元，其特征在于，所述離子摻雜區上設置氧化層。

5.根據權利要求4所述溝槽MOSFET單元，其特征在于，所述離子摻雜區中的離子比例根據目標導通電阻設置。

6.????根據權利要求1所述溝槽MOSFET單元，其特征在于，在所述離子摻雜區上設置氧化層。

7.根據權利要求1所述溝槽MOSFET單元，其特征在于，在MOSFET單元內設置MOSFET驅動電路，MOSFET驅動電路它包括輸出電路、輸入電路、第一光耦和驅動電路；輸入電路與第一光耦連接，第一光耦與驅動電路連接；輸入電路由第三電阻、第四電阻和第五電阻組成，第三電阻和第四電阻串聯后與第五電阻并聯，第三電阻的另一端與信號輸入端連接，第四電阻的另一端與控制地連接；第一光耦的第二引腳與第三電阻和第四電阻的串聯點相連接，第一光耦的第三引腳、第三引腳、第四引腳均分別接控制地。