[實用新型]一種具有斜面的多子結化合物光伏電池有效
| 申請號: | 201420586089.X | 申請日: | 2014-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN204289475U | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 司紅康;馬梅;謝發忠 | 申請(專利權)人: | 六安市大宇高分子材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/0725 |
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| 地址: | 237000 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 斜面 多子結 化合物 電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種化合物光伏電池,優其涉及一種具有斜面的多子結化合物光伏電池。
背景技術
Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池最先使用于太空領域,但隨著技朮的進步,Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池也越來越多的運用到非太空領域。與硅光伏電池相比,?Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池具有更大的能量轉換效率,通過先進工藝制造出的Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池其光電轉換成效率可超過25%,而硅光伏電池不會超過20%。相比于硅光伏電池,Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池可通過使用多個具有不同帶隙能的子電池來實現多太陽輻射的最大化轉換。
????對于Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池而言,GaInP/GaAs/Ge是一種最典型最成熟的Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池,其光電流密度已經能夠達到25mA/cm2,然而現有的Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池對自然太陽光的光譜吸收還不充分,并且多是以垂直、多結的形成逐層外延到半導體襯底上的,往往不能像硅光伏電池那樣形成對光線具有限域作用的植絨表面,現有的Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池有待得到進一步的提升。
實用新型內容
為了彌補現有Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池的不足,進一步提高對光線的利用率,本實用新型提供一種InAlAsP/IGaAs/Ge三結化合物光伏電池,該InAlAsP/InGaAs/Ge三結結構能夠有效地提高光伏電池的轉換效率,同時該InAlAsP/IGaAs/Ge三子結化合物光伏電池還具有對光線具有限域作用的二階凸起結構,該二階的凸起結構經過優化后的斜面能夠有效地提高光接觸面積,能夠對光線產生高效地限域作用并且提高制備質量。
本實用新型提供的多子結Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏電池,包括Ge襯底;Ge子電池,位于Ge襯底上;InGaAs子電池,位于Ge子電池上;InAlAsP子電池,位于InGaAs子電池上;在所述Ge襯底與Ge子電池之間包括n++?Ge接觸層以及n++?Ge接觸層之上的背場層;在InAlAsP子電池上為窗口層,窗口層上為p++接觸層;Ge子電池與InGaAs子電池,InGaAs子電池與InAlAsP子電池之前具有晶格匹配的n++/p++遂穿二極管。
所述多子結化合物光伏電池具有傾斜的斜面;所述光伏電池上部光照面形狀為連續的二階凸起結構,每一個二階凸起結構具有第一階凸起和第二階凸起,其中第二階凸起從第一階凸起的上表面向上凸起;第一階凸起和第二階凸起具有傾斜的斜面為,并且該斜面的傾角為48-65度;Ge子電池在遠離襯底的方向上依次包括n?Ge基區,p+?Ge發射區,并具有0.66ev左右的帶隙;所述InGaAs子電池在遠離襯底方向上依次包括n?InGaAs基區,p+?InGaAs發射區,并具有1.40ev左右的帶隙;所訴InAlAsP子電池在遠離襯底方向上依次包括n?InAlAsP基區,p+?InAlAsP發射區,并具有1.90ev左右的帶隙。
進一步地,從第二階凸起的頂面到Ge襯底的底面厚度為300~400um,第一階凸起的頂部到第一階凸起底面的厚度為50~80um;并且第二階凸起的頂部到第一階凸起的頂部的厚度至少大于第一階凸起的頂部到第一階凸起底面的厚度的兩倍;每兩個二階凸起結構之間的間隔小于第一階凸起的頂部到第一階凸起底面的厚度。
進一步地,所述晶格匹配的n++/p++隧穿二極管為異質結隧穿二極管。
進一步地,所述晶格匹配的n++/p++隧穿二極管為n++?InGaP/p++?InGaAsP異質結隧穿二極管;其總厚度為30-45納米。
進一步地,所述晶格匹配的n++/p++隧穿二極管為n++?InGaP/p++?InGaAsP異質結隧穿二極管;其總厚度為30-45納米。
進一步地,若采用正裝生長本電池,則第一階凸起(b)的側面傾角要大于第一階凸起(b)的側面傾角;若采用倒裝生長本電池,則第一階凸起(b)的側面傾角要小于第一階凸起(b)的側面傾角。
附圖說明
圖1為根據本實用新型的三子結化合物光伏電池的結構示意圖;
圖2為圖1中A區域的放大圖,即本實用新型光伏電池各子結材料層示意圖;
圖3為本實用新型光伏電池的比較例,具有垂直結構的凸起。
具體實施方式
以下將結合最佳實施方式對本實用新型做進一步的說明,本實用新型的有益效果將在詳細地描述中變得清晰。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





