[實用新型]離子注入角度測量裝置及離子注入系統

有效

• 申請號: 201420585667.8
• 申請日: 2014-10-10
• 公開（公告）號: CN204230207U
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 王錦喆
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67;H01J37/317
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種離子注入角度測量裝置，適于測量離子束注入的角度，其特征在于，所述離子注入角度測量裝置至少包括：

第一陣列結構，所述第一陣列結構中包括多個沿橫向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第一陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；

第二陣列結構，所述第二陣列結構中包括多個沿縱向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第二陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；

地線，與所述第一陣列結構中的法拉第杯的底部和所述第二陣列結構中的法拉第杯的底部電連接；

多個安培表，分別位于所述每個法拉第杯與所述地線之間。

2.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于：所述第一陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第一陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜；所述第二陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第二陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜。

3.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于：所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°～0.15°；所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°～0.15°。

4.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于：所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1°；所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1°。

5.根據權利要求1所述的離子注入角度測量裝置，其特征在于：還包括一殼體，適于放置和固定所述第一陣列結構中的法拉第杯和所述第二陣列結構中的法拉第杯。

6.一種離子注入系統，其特征在于：所述離子注入角度測量裝置至少包括：

產生離子束的離子源；

掃描系統，位于所述離子源的下游，適于控制離子束注入的束寬和離子束注入的角度；

離子注入角度測量裝置，所述離子注入角度測量裝置至少包括第一陣列結構、第二?陣列結構、地線和多個安培表；其中，所述第一陣列結構中包括多個沿橫向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第一陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；所述第二陣列結構中包括多個沿縱向分布的法拉第杯，所述法拉第杯包括開口端和底部，所述開口端均朝向所述離子束入射方向；所述法拉第杯自所述第二陣列結構中間至兩側依次傾斜，使得兩相鄰法拉第杯之間形成相同角度的夾角；所述地線與所述第一陣列結構中的法拉第杯的底部和所述第二陣列結構中的法拉第杯的底部電連接；所述安培表分別位于所述每個法拉第杯與所述地線之間；

控制系統，適于獲得所述離子注入角度測量裝置中安培表測得的電流，并根據所獲得的電流控制所述掃描系統進行角度補償。

7.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于：所述第一陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第一陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜；所述第二陣列結構中的法拉第杯開口端自所述第二陣列結構中間至兩側依次向兩側傾斜。

8.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于：所述第一陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°～0.15°；所述第二陣列結構中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.05°～0.15°。

9.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于：所述第一陣列中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1°；所述第二陣列中相鄰兩法拉第杯之間形成的夾角為0.1°。

10.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于：所述離子注入角度測量裝置還包括一殼體，適于放置和固定所述第一陣列結構中的法拉第杯和所述第二陣列結構中的法拉第杯。

11.根據權利要求6所述的離子注入系統，其特征在于：還包括一質譜分析儀，位于所述離子源和所述掃描系統之間，適于分開/提取具有限定質量和/或電荷的離子。