[實用新型]一種陣列基板及液晶顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420585072.2
• 申請日: 2014-10-10
• 公開（公告）號: CN204065625U
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程鴻飛;先建波;喬勇;盧永春;馬永達;徐健;李文波;李盼
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示裝置。

背景技術(shù)

液晶顯示技術(shù)是目前使用最為廣泛的顯示技術(shù)，主要應(yīng)用于電視機、手機以及公共信息顯示裝置。

液晶顯示的模式主要可以分為扭曲向列相(Twisted?Nematic，TN)模式、垂直排列(Vertical-Aligned，VA)模式以及面內(nèi)開關(guān)(In-Plane?Switching，IPS)模式。其中，由于使用垂直排列模式的液晶顯示裝置可以在一個像素單元內(nèi)可實現(xiàn)八疇液晶排列，從而得到較寬視角，并且通過該液晶顯示裝置顯示輸出的圖像相對其他液晶顯示裝置顯示輸出的圖像具有較高的對比度，因此，垂直排列模式的液晶顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用于大尺寸的液晶顯示裝置。然而，目前通常采用電荷共享的方式(Charge?Sharing)實現(xiàn)八疇液晶排列，使用電荷共享的方式在一個像素單元中要用到相鄰的兩根柵線，對陣列基板進行布線相對來說比較復(fù)雜，而且像素單元的開口率也相對較低。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中，使用垂直排列模式的液晶顯示裝置，利用電荷共享的方式在一個像素單元內(nèi)實現(xiàn)八疇液晶排列，將要用到兩根柵線，并且該方式相對來說比較復(fù)雜，像素單元的開口率也相對較低。

實用新型內(nèi)容

本實用新型實施例提供了一種陣列基板及液晶顯示裝置，用以在垂直排列模式的液晶顯示裝置中，實現(xiàn)只需使用一根柵線，即可對同一像素單元內(nèi)的亞像素電極進行充電，實現(xiàn)電荷共享，從而簡化了陣列基板，提高了像素單元的開口率。

本實用新型實施例提供了一種陣列基板，應(yīng)用于垂直排列模式的液晶顯示裝置，所述陣列基板包括由相鄰的數(shù)據(jù)線圍成的多列像素單元，每列像素單元包括多個像素單元，每個像素單元中包括亞像素電極、公共電極線、薄膜晶體管，其中，所述亞像素電極包括第一亞像素電極、第二亞像素電極，所述公共電極線包括第一公共電極線、第二公共電極線，所述薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管，每個像素單元還包括：

在所述第一亞像素電極與所述第二亞像素電極之間設(shè)置有一根柵線；

所述柵線分別與所述第一薄膜晶體管的柵極、所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第三薄膜晶體管的柵極電性相連。

通過該陣列基板，在垂直排列模式的液晶顯示裝置中，在每一像素單元中，相鄰的亞像素電極之間設(shè)置的一根柵線，實現(xiàn)對相鄰的亞像素電極同時進行充電，并實現(xiàn)相鄰的亞像素電極的存儲電容的電荷共享；同時簡化了陣列基板的布線，從而也提高了該像素單元的開口率。

較佳地，所述柵線分別與所述第一薄膜晶體管的柵極、所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第三薄膜晶體管的柵極電性相連，包括：

所述第一薄膜晶體管的柵極可以為所述柵線的第一凸出部，所述第二薄膜晶體管的柵極可以為所述柵線的第二凸出部，所述第三薄膜晶體管的柵極可以為所述柵線的一部分。較佳地，所述第一薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線電性相連，所述第二薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線電性相連，所述第三薄膜晶體管的源極與所述第一亞像素電極電性相連；

所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一亞像素電極電性相連，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二亞像素電極電性相連，所述第三薄膜晶體管的漏極與所述第二公共電極線電性相連或者所述第一公共電極線電性相連。

較佳地，所述第一公共電極線和所述第二公共電極線分別位于柵線的兩側(cè)，所述第一公共電極線靠近所述第一亞象素電極，所述第二公共電極線靠近所述第二亞象素電極。

較佳地，每一所述公共電極線包括，與所述柵線平行的部分、與所述數(shù)據(jù)線平行的部分；

所述第一公共電極線與所述第一亞像素電極部分重疊或全部重疊，在所述第一公共電極線與所述第一亞像素電極重疊的部分，形成第一存儲電容；所述第二公共電極線與所述第二亞像素電極部分重疊或全部重疊，在所述第二公共電極線與所述第二亞像素電極重疊的部分，形成第二存儲電容。

較佳地，每一所述亞像素電極包括：與柵線平行的根莖、與數(shù)據(jù)線平行的根莖、分支部以及對應(yīng)于所述分支部的狹縫。

較佳地，所述第三薄膜晶體管的溝道寬長比小于所述第一薄膜晶體管的溝道寬長比。

較佳地，所述第二薄膜晶體管的溝道寬長比等于所述第一薄膜晶體管的溝道寬長比。

較佳地，所述第一亞像素電極的面積大于或者等于所述第二亞像素電極的面積。

較佳地，所述第一亞像素電極的面積最大值為所述第二亞像素電極的面積的1.5倍。