[實用新型]一種傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420581224.1 | 申請日: | 2014-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN204190161U | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王警衛(wèi);宗恒軍;劉興勝 | 申請(專利權(quán))人: | 西安炬光科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/024 | 分類號: | H01S5/024 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 胡樂 |
| 地址: | 710119 陜西省西安市高*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 傳導(dǎo) 冷卻 陣列 功率 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,包括激光芯片組,正極連接塊、負極連接塊和熱沉,所述激光器芯片組采用了多個激光芯片形成疊陣模塊,其中各個激光芯片均帶有襯底;疊陣模塊芯片堆疊方向的兩個端面分別作為激光器芯片組的正極端和負極端,其特征在于:
激光芯片組的安裝位置對應(yīng)于熱沉的中部,與熱沉之間設(shè)置有導(dǎo)熱絕緣層;
所述正極連接塊、負極連接塊均為L形結(jié)構(gòu),兩者呈中心對稱設(shè)置,并通過導(dǎo)熱絕緣層與熱沉焊接;
L形結(jié)構(gòu)中,長部與短部扭轉(zhuǎn)相接形成不同方向的焊接面;
正極連接塊和負極連接塊L形結(jié)構(gòu)的長部分別與所述疊陣模塊的兩個端面相貼并焊接;
正極連接塊和負極連接塊L形結(jié)構(gòu)的短部為孔板形式作為引出電極,安裝位置對應(yīng)于熱沉的兩翼,分別通過電極絕緣層與熱沉焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述熱沉為凸臺形,底導(dǎo)熱絕緣層焊接于中間的凸臺部,兩處電極絕緣層分別焊接于兩翼的臺階部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:L形結(jié)構(gòu)的長部與疊陣模塊端面相貼的面與疊陣模塊的出光方向相平行,與L形結(jié)構(gòu)的短部的孔板平面相垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:激光芯片組與導(dǎo)熱絕緣層之間留有空隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:導(dǎo)熱絕緣層與電極絕緣層為一體件。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的導(dǎo)熱絕緣層采用陶瓷或金剛石。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的熱沉采用銅或銅鎢或銅金剛石復(fù)合材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器,其特征在于:所述的電極絕緣層采用陶瓷或金剛石。
9.基于權(quán)利要求1所述傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器組裝的環(huán)形系統(tǒng),其特征在于:多個傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器圍繞晶體棒環(huán)形排布,每個傳導(dǎo)冷卻疊層陣列高功率半導(dǎo)體激光器中,正極連接塊和負極連接塊的引出電極中心連線方向與晶體棒軸線平行。
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