[實用新型]一種對準測量結構

有效

• 申請號: 201420581041.X
• 申請日: 2014-10-09
• 公開（公告）號: CN204102865U
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 閆衛衛;鄧貴紅;余志賢
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術領域

本實用新型屬于半導體制造領域，特別是涉及一種對準測量結構。

背景技術

近年來，隨著半導體技術的不斷進步，器件的功能也不斷強大，然而隨之而來的對于半導體制造技術的要求也與日俱增。光刻是制造高級半導體器件和大規模集成電路的關鍵工藝之一，并常用于刻劃光柵、線紋尺和度盤等的精密線紋。光刻是利用照相復制與化學腐蝕相結合的技術，在工件表面制取精密、微細和復雜薄層圖形的化學加工方法，其利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將光罩上的光刻圖形刻制到被加工工件表面上。光刻半導體晶片二氧化硅的主要步驟是：首先，在被加工工件表面涂布光致抗蝕劑；然后，對準光罩和晶圓，并進行曝光處理；再用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層；接著，用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層；最后，去除已感光的光致抗蝕劑層，單次光刻結束。

光刻過程中，光罩與晶圓的對準偏差會導致器件和金屬連線的電氣特性發生改變，對半導體芯片的制造非常重要，因此，光刻對準精度必須得到很好的控制，尤其是在制程工藝越來越高、線寬越來越小的情況下，光刻對準精度的要求也越來越高。傳統工藝中對準測量是利用OVL(Overlay，對準量測)機臺完成的，其標準操作程序(Standard?Operation?Procedure)是采用OVL對準測量機臺的準量測檢測鏡頭依次對準曝光單元101的角區域的4個對準測量點A1、A2、A3、及A4，如圖1所示。

但是，如果光刻對準量測程序設置出錯，后續的對準信息也會出錯，將導致FT(Final?Test)中測試數據的偏差并發生MRB(Material?Review?Board，即報廢量比較大的異常事件)。如圖2所示，設置要求的測量點為A1、A2、A3、A4，若光刻對準量測程序設置的測量點分別為A1、A2、A3’、A4’，此時鏡頭被測量點A1、A2、A3’、A4’包圍，從位置檢查過程中很難發現問題，這將導致后續誤差增大，進而影響后續性能及產品良率。

鑒于現有技術的以上缺陷，如何提能提供一種有效避免對準測量錯誤的對準測量結構是本領域技術人員亟待解決的問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種對準測量結構，用于解決現有技術中對準測量容易發生錯誤的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種對準測量結構，所述對準測量結構包括曝光單元以及分別分設置于所述曝光單元四個角區域的第一對準標記、第二對準標記、第三對準標記及第四對準標記，其中，所述第三對準標記與第四對準標記之間的距離大于所述第一對準標記及第二對準標記之間的距離。

作為本實用新型的對準測量結構的一種優選方案，所述曝光單元的形狀為矩形。

作為本實用新型的對準測量結構的一種優選方案，所述第一對準標記、第二對準標記、第三對準標記及第四對準標記所連成的圖形為梯形。

作為本實用新型的對準測量結構的一種優選方案，所述第一對準標記及第二對準標記位于所述曝光單元的第一側，所述第三對準標記與第四對準標記位于所述曝光單元的第二側，其中，所述第一側與第二側為所述曝光單元的相對兩側。

作為本實用新型的對準測量結構的一種優選方案，所述第一對準標記及第二對準標記之間的距離不大于所述曝光單元的第一側的邊長。

作為本實用新型的對準測量結構的一種優選方案，所述第三對準標記與第四對準標記之間的距離不大于所述曝光單元的第二側的邊長。

如上所述，本實用新型提供一種對準測量結構，所述對準測量結構包括曝光單元以及分別分設置于所述曝光單元四個角區域的第一對準標記、第二對準標記、第三對準標記及第四對準標記，其中，所述第三對準標記與第四對準標記之間的距離大于所述第一對準標記及第二對準標記之間的距離。本實用新型通過改變曝光單元角區域的四個對準標記的位置關系，大大提高了OVL對準機臺對四個對準標記的識別和分辨能力，從而提高對準測量的準確性，提高產品良率以及節省人力成本。本實用新型結構簡單，適用于工業檢測。

附圖說明

圖1顯示為現有技術中的一種對準測量結構的結構示意圖。

圖2顯示為現有技術中的對準測量結構對準錯誤示例的示意圖。

圖3顯示為本實用新型的對準測量結構的結構示意圖。

圖4顯示為本實用新型的對準測量結構的一種實施示例的示意圖。

圖5顯示為本實用新型的對準測量結構的另一種實施示例的示意圖。

元件標號說明

101????曝光單元