[實用新型]壓阻式壓力傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420580179.8
• 申請日: 2014-10-09
• 公開（公告）號: CN204085748U
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 李剛;胡維;呂萍
• 申請（專利權）人: 蘇州敏芯微電子技術有限公司
• 主分類號: G01L1/18
• 分類號: G01L1/18;G01L9/06;B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種壓阻式壓力傳感器，其特征在于，所述壓力傳感器包括基片、鍵合在基片正面的第一層晶圓、以及形成在第一層晶圓和基片之間的真空腔體，所述基片具有襯底、設置在襯底正面的第一絕緣層和設置在第一絕緣層正面與第一層晶圓之間的可動敏感膜層，所述襯底形成有將可動敏感膜層背面向下暴露的背腔。

2.根據(jù)權利要求1所述的壓阻式壓力傳感器，其特征在于，所述基片和第一層晶圓之間采用Al-Ge鍵合，其中所述第一層晶圓具有形成在朝向基片一側的雙島以及設置在雙島表面的Ge金屬連接層，所述基片具有與Ge金屬連接層鍵合的Al金屬對接部，所述真空腔體形成在雙島和基片之間。

3.根據(jù)權利要求2所述的壓阻式壓力傳感器，其特征在于，所述可動敏感膜層正面設置有摻雜區(qū)域，所述基片還具有設置在可動敏感膜層正面的絕緣復合層以及貫穿絕緣復合層而連接摻雜區(qū)域的壓焊點，所述Al金屬對接部設置在所述絕緣復合層正面、并位于摻雜區(qū)域上方。

4.根據(jù)權利要求3所述的壓阻式壓力傳感器，其特征在于，所述絕緣復合層包括淀積在可動敏感膜層正面的氧化硅層、淀積在氧化硅層正面的氮化硅層以及淀積在氮化硅層正面的又一氧化硅層，或者也可為僅包括淀積在可動敏感膜層正面的氧化硅層和淀積在氧化硅層正面的氮化硅層。

5.根據(jù)權利要求3所述的壓阻式壓力傳感器，其特征在于，所述摻雜區(qū)域包括輕摻雜區(qū)域和重摻雜區(qū)域；所述輕摻雜區(qū)域位于背腔正上方，所述重摻雜區(qū)域位于背腔外側；所述壓焊點通過在絕緣復合層上設置通孔而與部分重摻雜區(qū)域相連接，所述Al金屬對接部位于重摻雜區(qū)域正上方，并與壓焊點間隔設置。

6.根據(jù)權利要求1所述的壓阻式壓力傳感器，其特征在于，所述背腔呈上大下小型設置。