[實用新型]一種高精密度石英晶片濺鍍裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420573418.7 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN204131473U | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 曾家駿 | 申請（專利權(quán)）人： | 東晶銳康晶體（成都）有限公司 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 精密度 石英 晶片 裝置 | ||
1.一種高精密度石英晶片濺鍍裝置，其特征在于：它包括兩個相連的濺鍍腔體A（1）和濺鍍腔體B（2），濺鍍腔體A（1）和濺鍍腔體B（2）相連處設置有一隔板（3），隔板（3）將濺鍍腔體A（1）和濺鍍腔體B（2）隔開，所述的隔板（3）上開設有一通孔（4），通孔（4）的大小允許濺鍍夾具（5）通過，濺鍍腔體A（1）和濺鍍腔體B（2）內(nèi)均充滿氬氣，所述的濺鍍腔體A（1）和濺鍍腔體B（2）內(nèi)均設置有電場發(fā)生器（6）和磁場發(fā)生器（7），電場和磁場分別充滿對應的濺鍍腔體A（1）和濺鍍腔體B（2），所述的濺鍍腔體A（1）和濺鍍腔體B（2）上均設置有靶材（8）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精密度石英晶片濺鍍裝置，其特征在于：所述的濺鍍腔體A（1）上的靶材（8）位于濺鍍腔體A（1）的上中央。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精密度石英晶片濺鍍裝置，其特征在于：所述的濺鍍腔體B（2）上的靶材（8）位于濺鍍腔體B（2）的下中央。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精密度石英晶片濺鍍裝置，其特征在于：所述的靶材（8）為銅材。
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