[實用新型]一種小面積低功耗高速電流比較器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420568048.8 | 申請日： | 2014-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN204089754U | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 程艷;劉小舟;馬讓奎;張蔚;李波;樊成雙 | 申請（專利權(quán)）人： | 陜西寶成航空儀表有限責任公司 |
| 主分類號： | H03K5/24 | 分類號： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 宋秀珍 |
| 地址： | 721006*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 面積 功耗 高速 電流 比較 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種小面積低功耗高速電流比較器，其特征在于：NMOS晶體管M1、M2、M3和M4組成提高輸出阻抗和鏡像電流精度的共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)，其中NMOS晶體管M2和M4的柵極和漏極連接在一起形成二極管連接方式，PMOS晶體管M5和M6組成電流鏡結(jié)構(gòu)，其中PMOS晶體管M5的柵極和漏極連接在一起形成二極管連接方式，再連接到M6的柵極，將輸入電流Iin鏡像到由NMOS晶體管M1、M3和PMOS晶體管M6組成的電流支路，NMOS晶體管M1的漏極和M3的源極相連，NMOS晶體管M3的漏極和PMOS晶體管M6的漏極相連，同時，閾值電流Ith也被鏡像到由NMOS晶體管M1、M3和PMOS晶體管M6組成的電流支路。
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