[實用新型]高靈敏度硅壓阻壓力傳感器

有效

• 申請號: 201420565011.X
• 申請日: 2014-09-28
• 公開（公告）號: CN204128719U
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 繆建民
• 申請（專利權）人: 繆建民
• 主分類號: G01L1/22
• 分類號: G01L1/22;G01L9/04
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 殷紅梅;張濤

1.一種高靈敏度硅壓阻壓力傳感器，包括硅基底（1）；其特征是：所述硅基底（1）上貼合有應變膜（3），且應變膜（3）將硅基底（1）內的上部密封形成真空腔（5）；應變膜（3）的中心區凹設有應力集中區（4），所述應力集中區（4）位于真空腔（5）的正上方；應變膜（3）上設置用于形成惠斯通電橋橋臂的應變電阻（6），所述應變電阻（6）位于應力集中區（4）的外圈且位于真空腔（5）的上方；應變膜（3）上的應變電阻（6）通過應變膜（3）上方的金屬電極（10）電連接后形成惠斯通電橋；金屬電極（10）與應變膜（3）間通過保護層（9）相隔離。

2.根據權利要求1所述的高靈敏度硅壓阻壓力傳感器，其特征是：所述應變電阻（6）的外側設置有離子注入導線（7），所述離子注入導線（7）通過金屬連接導線（11）與金屬電極（10）電連接，以將應變膜（3）上的應變電阻（6）連接形成惠斯通電橋；金屬電極（10）與金屬連接導線（11）為同一工藝制造層。

3.根據權利要求2所述的高靈敏度硅壓阻壓力傳感器，其特征是：所述金屬電極（10）與保護層（9）之間設置有接觸層（8），所述保護層（9）支撐在應變膜（3）上，保護層（9）以及金屬連接導線（11）上覆蓋有鈍化層（12）。

4.根據權利要求1所述的高靈敏度硅壓阻壓力傳感器，其特征是：所述硅基底（1）內的上部設有凹槽（13），在所述凹槽（13）的側壁、底壁以及硅基底（1）的表面上均設置有鍵合層（2）；應變膜（3）與鍵合層（2）硅硅鍵合，以使得應變膜（3）貼合在硅基底（1）上，應變膜（3）將凹槽（13）密封形成真空腔（5）。

5.根據權利要求3所述的高靈敏度硅壓阻壓力傳感器，其特征是：所述接觸層（8）為TiN層，接觸層（8）的厚度為0.05μm~0.5μm，保護層（9）為氧化硅層，鈍化層（12）為氮化硅層。