[實用新型]晶圓級芯片封裝結構有效
| 申請號: | 201420564129.0 | 申請日: | 2014-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN204216021U | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | 丁萬春 | 申請(專利權)人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭棟梁 |
| 地址: | 226006 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓級 芯片 封裝 結構 | ||
1.一種晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,包括:
芯片,所述芯片的上表面形成有切割道,所述切割道由所述芯片的上表面向所述芯片的下表面延伸;
種子層,形成于所述芯片的上表面,并且使所述切割道露出;
金屬凸塊,形成于所述種子層上;
焊球,形成于所述金屬凸塊上,并且所述焊球的頂部呈平面;
保護膠,涂覆于所述種子層上表面和所述芯片外周,并且所述保護膠填充于所述切割道內,還包裹所述金屬凸塊以及所述焊球的外周,所述焊球頂部的平面從所述保護膠中露出;
散熱層,形成于所述芯片的下表面。
2.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,
所述切割道將所述芯片分割成多個部分,每個部分的芯片的下表面上都形成有散熱層;
在所述芯片的每個部分上形成的所述種子層上,至少形成一個金屬凸塊。
3.根據權利要求2所述的晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,
每部分芯片的下表面的所述散熱層,彼此獨立。
4.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,
所述散熱層的表面形成有多個彼此間隔的凸起。
5.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,
所述焊球的頂部平面與所述保護膠齊平或低于所述保護膠。
6.根據權利要求1-5任一項所述的晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,
所述保護膠為環氧樹脂。
7.根據權利要求1-5任一項所述的晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,
所述種子層為鎳材料;
所述金屬凸塊為鈦銅合金或鈦鎢合金。
8.根據權利要求2或3所述的晶圓級芯片封裝結構,其特征在于,
沿所述切割道將所述晶圓級芯片封裝結構切割成多組。
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