[實用新型]發光器件有效
| 申請號： | 201420561281.3 | 申請日： | 2014-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN204243083U | 公開（公告）日： | 2015-04-01 |
| 發明（設計）人： | 蔡鐘炫;李貞勛;徐大雄 | 申請（專利權）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/58 | 分類號： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孫昌浩 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 器件 | ||
1.一種發光器件，其特征在于，包括：
基板；
半導體層，形成于所述基板的一面上；
半透光部，形成于所述基板的另一面上。
2.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述半透光部包括多層，所述多層具有互不相同的折射率。
3.如權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述多層由SiN、SiO2、TiO2、HfO2中的互不相同的材料層構成。
4.如權利要求3所述的發光器件，其特征在于，所述多層由第一層至第三層構成，所述第一層為SiN、SiO2、TiO2、HfO2中的一種材料層。
5.如權利要求3所述的發光器件，其特征在于，所述多層由第一層至第三層構成，所述第二層為SiN、SiO2、TiO2、HfO2中的一種材料層。
6.如權利要求3所述的發光器件，其特征在于，所述多層由第一層至第三層構成，所述第三層為SiN、SiO2、TiO2、HfO2中的一種材料層。
7.如權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述多層由依次設置的第一層至第三層構成，所述第一層具有比位于所述第一層上的第二層更小的折射率，且位于所述第二層上的所述第三層具有比所述第二層更小的折射率。
8.如權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述多層由依次設置的第一層至第三層構成，且隨著從所述第一層趨向所述第三層，折射率越來越小。
9.如權利要求2所述的發光器件，其特征在于，所述多層由依次設置的第一層至第三層構成，且隨著從所述第一層趨向所述第三層，折射率越來越大。
10.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述半透光部具有不同于所述基板的折射率。
11.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述半透光部由薄膜金屬層構成。
12.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述基板的厚度為250μm以下。
13.如權利要求1所述的發光器件，其特征在于，所述發光器件為倒裝芯片類型的發光器件。
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