[實用新型]光源模塊和包括該光源模塊的背光單元

有效

• 申請號: 201420560565.0
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN204387807U
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 南基范;鄭丞晧;韓釉大;李貞勛;崔爀仲
• 申請（專利權）人: 首爾半導體株式會社
• 主分類號: F21S8/00
• 分類號: F21S8/00;F21V7/00;G02F1/13357;F21Y101/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓芳;譚昌馳

1.一種光源模塊，其特征在于所述光源模塊包括：

發光二極管芯片，通過發光二極管芯片的下表面電連接到基底，并包括形成在發光二極管芯片的一個側表面上使得發光二極管芯片的光經其發出的光出射面；

波長轉換層，形成在發光二極管芯片上，并至少包圍發光二極管芯片的光出射面；以及

反射器，形成在發光二極管芯片的除光出射面之外的區域上。

2.根據權利要求1所述的光源模塊，其特征在于所述光源模塊還包括：

底部填充劑，設置在基底和發光二極管芯片之間并包括反射材料。

3.根據權利要求2所述的光源模塊，其特征在于，反射材料包括從TiO₂、SiO₂、ZrO₂、PbCO₃、PbO、Al₂O₃、ZnO和Sb₂O₃中選擇的一種材料。

4.根據權利要求2所述的光源模塊，其特征在于，底部填充劑包括熒光物質。

5.根據權利要求1所述的光源模塊，其特征在于，發光二極管芯片通過倒裝芯片接合或表面貼裝技術安裝在基底上。

6.根據權利要求1所述的光源模塊，其特征在于，所述發光二極管芯片包括：

第一半導體層，摻雜有第一導電型雜質；

活性層，形成在第一半導體層下方；

第二半導體層，摻雜有第二導電型雜質，并形成在活性層下方；

第一電極，電連接到第一半導體層；

第二電極，電連接到第二半導體層；

第一電極焊盤，電連接到第一電極；以及

第二電極焊盤，電連接到第二電極，

其中，發光二極管芯片通過第一電極焊盤和第二電極焊盤電連接到基底。

7.一種背光單元，其特征在于所述背光單元包括：

導光板；以及

光源模塊，位于導光板的至少一側上并發射光，

其中，所述光源模塊包括：

發光二極管芯片，通過發光二極管芯片的下表面電連接到基底，并包括形成在發光二極管芯片的一個側表面上使得發光二極管芯片的光經其發出的光出射面；

波長轉換層，形成在發光二極管芯片上，并至少包圍發光二極管芯片的光出射面；以及

反射器，形成在發光二極管芯片的除光出射面之外的區域上。

8.根據權利要求7所述的背光單元，其特征在于，所述光源模塊還包括：底部填充劑，設置在基底和發光二極管芯片之間并包括反射材料。

9.根據權利要求8所述的背光單元，其特征在于，底部填充劑包括熒光物質。

10.根據權利要求7所述的背光單元，其特征在于，發光二極管芯片通過倒裝芯片接合或表面貼裝技術安裝在基底上。