[實用新型]一種超、特高壓并聯電抗器磁屏蔽

有效

• 申請號: 201420558355.8
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN204088033U
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 葛德馨;徐曉明;俎德舒;李學成;李科文;程軍衛
• 申請（專利權）人: 山東電力設備有限公司
• 主分類號: H01F27/36
• 分類號: H01F27/36;H05K9/00
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 苗峻

技術領域

本實用新型涉及一種電抗器磁屏蔽結構，具體涉及一種超、特高壓并聯電抗器磁屏蔽。

背景技術

油浸式并聯電抗器普遍只有單線圈，且超、特高壓電抗器一般容量也非常大，因此電抗器的漏磁通非常大。心柱與線圈之間的空道為漏磁最大區域。超、特高壓電抗器的漏磁通占總磁通的40%左右，如果漏磁通不經過磁屏蔽引導至上下軛疊厚端部方向而直接進入上下軛的話，將有可能引起上下軛的局部飽和，從而導致鐵心過熱。目前常用的磁屏蔽方式是加設兩片L型磁屏蔽片，只能減少部分漏磁量使用效果差。同時由于超、特高壓電抗器鐵心直徑非常大，所以磁屏蔽的長度達到1.5米以上，寬度達到0.4米以上；電抗器本體振動非常大，必須保證磁屏蔽在100HZ頻率下的動穩定性。因此如何將所有硅鋼片連接為一個整體，保證磁屏蔽的機械強度是制作的最大困難。

發明內容

針對上述問題，本實用新型提供一種減少漏磁通、提高磁屏蔽機械強度的超、特高壓并聯電抗器磁屏蔽。

為解決上述問題，本實用新型采取的技術方案為：一種超、特高壓并聯電抗器磁屏蔽，包括兩對接的左屏蔽塊及右屏蔽塊，兩屏蔽塊對接側均設有尺寸相同的凹槽，兩凹槽對接形成用于穿過心柱的通孔，所述的凹槽包括底壁和兩側壁，兩側壁為臺階狀結構。屏蔽塊凹槽內壁增加臺階狀結構，最大可能覆蓋線圈與鐵心間空道的面積，保證大量漏磁通進入磁屏蔽，從而引導至上下軛疊厚的端部方向，避免鐵軛過熱。

進一步，兩屏蔽塊由不同長度的硅鋼片沿心柱徑向打疊并形成中間凹槽的臺階狀側壁。之后采用滲膠制作，將所有硅鋼片膠粘后形成統一的整體，保證了磁屏蔽的機械強度。所形成的臺階的尺寸及數量可根據電抗器的容量來設置，要保證盡可能大的覆蓋線圈與心柱間的空道面積，減少線圈與鐵心間的漏磁量，優選的，每個臺階棱邊與相對的心柱壁的距離為20mm至40mm。

本實用新型整體結構簡單制作工藝易實現，整體結構簡單，臺階狀結構增大了磁屏蔽的覆蓋面積，減少了線圈與鐵心間的漏磁量，保證大量漏磁通進入磁屏蔽，從而引導至上下軛疊厚的端部方向，避免鐵軛過熱。同時本結構采用多種不同長度硅鋼片按照“凹”字豎直打疊，然后滲膠制作，所有硅鋼片經過膠粘后形成統一的整體，保證了磁屏蔽的機械強度。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為現有磁屏蔽的結構示意圖；

其中，1、左屏蔽塊，2、右屏蔽塊，3、心柱，4、底壁，5、側壁。

具體實施方式

如圖1所示，一種超、特高壓并聯電抗器磁屏蔽，包括兩對接的左屏蔽塊1及右屏蔽塊2，兩屏蔽塊對接側均設有尺寸相同的凹槽，兩凹槽對接形成用于穿過心柱3的通孔，所述的凹槽包括底壁4和兩側壁5，兩側壁5為臺階狀結構。兩屏蔽塊中間凹槽的臺階狀側壁5由不同長度的硅鋼片沿心柱3徑向打疊形成。每個臺階棱邊與相對的心柱壁的距離為20mm至40mm。