[實用新型]電子系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420555662.0
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN204243028U
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設計）人: R·科菲;R·布雷希尼亞克
• 申請（專利權）人: 意法半導體(格勒諾布爾2)公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

技術領域

本實用新型涉及微電子領域。

背景技術

構造包括堆疊于彼此之上并且彼此電連接的電子器件的電子系統(tǒng)是已知的，每個電子器件包括至少一個集成電路芯片。

電子器件的堆疊尤其具有改進電連接的性能以及減小尺寸的優(yōu)點。然而，在一些情況下，出現(xiàn)了一些集成電路芯片產生熱，并且所產生的熱使其它集成電路芯片變熱，并且隨后使其它集成電路芯片的性能退化。這尤其是當?shù)谝浑娮悠骷ㄌ幚砥餍酒⑶叶询B在第一電子器件上的第二電子器件包括存儲器芯片時的情況，該處理器芯片產生熱，該存儲器芯片的功能尤其在其溫度升高時退化。

在本文中所描述的情形成為提高電子系統(tǒng)的性能的障礙，尤其是程序執(zhí)行速度。然而，當前存在于電子系統(tǒng)所需的性能和它們的尺寸之間進行折中的情況并不令人滿意，尤其是在手持設備(諸如移動電話)領域。

實用新型內容

本公開旨在解決當前存在于電子系統(tǒng)所需的性能和它們的尺寸之間進行折中的情況并不令人滿意的問題。

根據(jù)本公開的一個方面，提供了一種電子系統(tǒng)，包括：

第一集成電路芯片；

第二集成電路芯片；

第一襯底晶片，所述第一襯底晶片在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸；以及

第二襯底晶片，被布置為面向所述第一襯底晶片并且與所述第一襯底晶片相鄰，以在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸。

優(yōu)選地，所述第一集成電路芯片和所述第一襯底晶片形成第一電子器件，所述第一電子器件包括在所述第一襯底晶片內的第一電連接網絡，并且其中所述第二集成電路芯片和所述第二襯底晶片形成第二電子器件，所述第二電子器件包括在所述第二襯底晶片內的第二電連接網絡。

優(yōu)選地，該電子系統(tǒng)還包括：第一電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二電子器件之間，并且電連接所述第一電連接網絡和所述第二電連接網絡。

優(yōu)選地，該電子系統(tǒng)還包括第三電子器件，所述第三電子器件包括第三襯底晶片，所述第三襯底晶片設置有第三電連接網絡。

優(yōu)選地，該系統(tǒng)還包括：第二電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第三襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網絡和所述第三電連接網絡。

優(yōu)選地，所述第三電子器件還包括外部電連接焊盤，所述外部電連接焊盤被布置在所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對的面上。

優(yōu)選地，所述第一集成電路芯片與所述第三襯底晶片的表面熱接觸。

優(yōu)選地，該系統(tǒng)還包括將所述第一集成電路芯片耦合至所述第三襯底晶片的所述表面的熱粘合劑。

優(yōu)選地，所述第三襯底晶片包括金屬過孔，所述金屬過孔從所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路芯片熱接觸的所述表面延伸通過第三襯底晶片。

優(yōu)選地，所述第二電連接元件包括：設置有另一電連接網絡的另一襯底晶片，所述另一電連接網絡電連接所述第一電連接網絡與所述第三電連接網絡。

根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種電子系統(tǒng)，包括：

第一電子器件，包括第一襯底晶片，所述第一襯底晶片設置有第一電連接網絡并且在其一個表面下方承載電連接至所述第一電連接網絡的第一集成電路芯片；

第二電子器件，包括第二襯底晶片，所述第二襯底晶片設置有第二電連接網絡并且承載電連接至所述第二電連接網絡的第二集成電路芯片；

第三電子器件，包括第三襯底晶片，所述第三襯底晶片設置有第三電連接網絡；

其中所述第一電子器件和所述第二電子器件在使得所述第一襯底晶片和所述第二襯底晶片二者在所述第一集成電路芯片與所述第二集成電路芯片之間延伸的位置被布置在彼此上方；

其中所述第三襯底晶片被布置為使得所述第一集成電路芯片在所述第一襯底晶片與所述第三襯底晶片之間；

第一電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第二電子器件之間，并且電連接所述第一電連接網絡和所述第二電連接網絡；

第二電連接元件，介于所述第一電子器件與所述第三襯底晶片之間，并且電連接所述第一電連接網絡和所述第三電連接網絡；以及

其中所述第三電連接網絡包括外部電連接焊盤，所述外部電連接焊盤被布置在所述第三襯底晶片的與所述第一集成電路器件相對的面上。

優(yōu)選地，導熱材料層介于所述第一集成電路芯片與所述第三襯底晶片之間。

優(yōu)選地，介于所述第一電子器件與所述第三襯底之間的所述第二電連接元件包括：設置有另一電連接網絡的另一襯底晶片，所述另一電連接網絡電連接所述第一電連接網絡與所述第三電連接網絡。