[實用新型]LED襯底結構有效
| 申請號： | 201420553876.4 | 申請日： | 2014-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN204271121U | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發明（設計）人： | 丁海生;馬新剛;李東昇;李芳芳;江忠永 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 襯底 結構 | ||
1.一種LED襯底結構，其特征在于，包括：襯底，所述襯底第一表面上形成有周期性陣列排布的凸形結構或者周期性陣列排布的凹形結構，所述凸形結構的外壁和凸形結構之間的襯底第一表面上形成有DBR膜系，其中，所述凸形結構的頂壁和凸形結構之間的襯底第一表面上的DBR膜系設有納米窗口陣列，所述納米窗口陣列露出部分凸形結構的頂壁和凸形結構之間的襯底第一表面；或者所述凹形結構的內壁和凹形結構之間的襯底第一表面上形成有DBR膜系，其中，所述凹形結構的底壁和凹形結構之間的襯底第一表面上的DBR膜系設有納米窗口陣列，所述納米窗口陣列露出部分凹形結構的底壁和凹形結構之間的襯底第一表面。
2.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述納米窗口陣列露出的部分凸形結構的頂壁和凸形結構之間的襯底第一表面便于連接GaN層；或者所述納米窗口陣列露出的部分凹形結構的底壁和凹形結構之間的襯底第一表面便于連接GaN層。
3.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構的剖面形狀為梯形；所述凹形結構的剖面形狀為梯形。
4.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構的俯視形狀為圓形、橢圓形或者多邊形；所述凹形結構的俯視形狀為圓形、橢圓形或者多邊形。
5.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述DBR膜系由SiO、SiO2、TiO2或者Ti3O5中的至少兩種材料層疊形成。
6.如權利要求5所述的LED襯底結構，其特征在于，每種材料按照λ/4n厚度交替生長，所述DBR膜系的生長周期為3個-20個。
7.如權利要求1～6中任一項所述的LED襯底結構，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底。
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