[實用新型]LED襯底結構有效
| 申請號： | 201420552614.6 | 申請日： | 2014-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN204243074U | 公開（公告）日： | 2015-04-01 |
| 發明（設計）人： | 馬新剛;丁海生;李芳芳;李東昇;江忠永 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 襯底 結構 | ||
1.一種LED襯底結構，其特征在于，包括：襯底，所述襯底第一表面上形成有周期性陣列排布的凸形結構，所述凸形結構的側壁上形成有DBR膜系；或者所述襯底第一表面上形成有周期性陣列排布的凹形結構，所述凹形結構的側壁上形成有DBR膜系。
2.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構的頂壁上形成有DBR膜系或者所述凹形結構之間的襯底第一表面上形成有DBR膜系。
3.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構的頂壁和凸形結構之間的襯底第一表面上無DBR膜系；或者所述凹形結構的底壁和凹形結構之間的襯底第一表面上無DBR膜系。
4.如權利要求2所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構之間的襯底第一表面上無DBR膜系或者所述凹形結構的底壁上無DBR膜系。
5.如權利要求1或權利要求3所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構的頂壁和凸形結構之間的襯底第一表面便于連接GaN層；或者所述凹形結構的底壁和凹形結構之間的襯底第一表面便于連接GaN層。
6.如權利要求2或權利要求4所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構之間的襯底第一表面便于連接GaN層；或者所述凹形結構的底壁便于連接GaN層。
7.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構的剖面形狀為三角形或者梯形；所述凹形結構的剖面形狀為梯形。
8.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述凸形結構的俯視形狀為圓形、橢圓形或者多邊形；所述凹形結構的俯視形狀為圓形、橢圓形或者多邊形。
9.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述DBR膜系由SiO、SiO2、TiO2或者Ti3O5中的至少兩種材料層疊形成。
10.如權利要求9所述的LED襯底結構，其特征在于，每種材料按照λ/4n厚度交替生長，所述DBR膜系的生長周期為3個-20個。
11.如權利要求1所述的LED襯底結構，其特征在于，所述襯底為藍寶石?襯底。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于杭州士蘭明芯科技有限公司，未經杭州士蘭明芯科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420552614.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種增大反射金屬焊盤的倒裝芯片LED燈絲
- 下一篇：片轉移擴膜機
