[實用新型]LED襯底結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420552598.0
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN204088356U
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬新剛;丁海生;李芳芳;李東昇;江忠永
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底，所述襯底上形成有周期性陣列排布的凹形結(jié)構(gòu)或者周期性陣列排布的凸形結(jié)構(gòu)，所述凹形結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁上形成有DBR膜系；或者所述凸形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和凸形結(jié)構(gòu)之間的襯底表面上形成有DBR膜系。

2.如權(quán)利要求1所述的LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹形結(jié)構(gòu)之間的襯底表面無DBR膜系；或者所述凸形結(jié)構(gòu)的頂壁無DBR膜系。

3.如權(quán)利要求2所述的LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹形結(jié)構(gòu)之間的襯底表面便于連接GaN層；或者所述凸形結(jié)構(gòu)的頂壁便于連接GaN層。

4.如權(quán)利要求1所述的LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹形結(jié)構(gòu)的剖面形狀為三角形或者梯形；所述凸形結(jié)構(gòu)的剖面形狀為梯形。

5.如權(quán)利要求1所述的LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹形結(jié)構(gòu)的俯視形狀為圓形、橢圓形或者多邊形；所述凸形結(jié)構(gòu)的俯視形狀為圓形、橢圓形或者多邊形。

6.如權(quán)利要求1所述的LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述DBR膜系由SiO、SiO₂、TiO₂或者Ti₃O₅中的至少兩種材料層疊形成。

7.如權(quán)利要求6所述的LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，每種材料按照λ/4n厚度交替生長，所述DBR膜系的生長周期為3個-20個。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的LED襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底。