[實用新型]發光二極管和發光二極管模塊

有效

• 申請號: 201420551907.2
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN204167351U
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 蔡鐘炫;盧元英;李俊燮;姜珉佑;張鍾敏;金賢兒;裴善敏;徐大雄
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L27/15;H01L33/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰;韓芳

1.一種發光二極管，所述發光二極管包括：?

第一導電型半導體層；?

臺階，設置在第一導電型半導體層上，并且包括活性層和第二導電型半導體層；?

第一歐姆接觸結構，與第一導電型半導體層接觸；?

第二歐姆接觸結構，與在臺階上的第二導電型半導體層接觸；?

下絕緣層，覆蓋臺階和第一導電型半導體層，并且具有暴露第一歐姆接觸結構的第一開口部分和暴露第二歐姆接觸結構的第二開口部分；以及?

電流分布層，連接到通過下絕緣層的第一開口部分而暴露的第一歐姆接觸結構，并且具有暴露第二開口部分的第三開口部分。?

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，發光二極管包括多個第一歐姆接觸結構，并且?

電流分布層使所述多個第一歐姆接觸結構彼此電連接。?

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，電流分布層具有與第一歐姆接觸結構的結構不同的堆疊結構，并且包括金屬反射層。?

4.根據權利要求3所述的發光二極管，其中，金屬反射層是電流分布層的最下層。?

5.根據權利要求1所述的發光二極管，所述發光二極管還包括：防擴散增強層，設置在電流分布層的第三開口部分中并且連接到通過第二開口部分而暴露的第二歐姆接觸結構。?

6.根據權利要求5所述的發光二極管，其中，防擴散增強層具有與電流分布層的結構相同的堆疊結構。?

7.根據權利要求5所述的發光二極管，其中，所述發光二極管包括多個臺階以及連接到位于相應的臺階上的第二導電型半導體層的多個第二歐姆接觸結構，并且?

防擴散增強層使第二歐姆接觸結構彼此電連接。?

8.根據權利要求1所述的發光二極管，所述發光二極管還可以包括覆蓋電流分布層的上絕緣層，?

其中，上絕緣層具有通過暴露電流分布層來限定第一電極焊盤區域的第?四開口部分和通過暴露第二歐姆接觸結構的上部區域來限定第二電極焊盤區域的第五開口部分。?

9.根據權利要求8所述的發光二極管，所述發光二極管還可以包括：防擴散增強層，設置在電流分布層的第三開口中并且連接到通過第二開口部分而暴露的第二歐姆接觸結構，?

其中，防擴散增強層暴露于第五開口部分。?

10.根據權利要求9所述的發光二極管，其中，電流分布層和防擴散增強層具有彼此相同的結構，并且都包括金屬反射層。?

11.根據權利要求10所述的發光二極管，其中，電流分布層包括金屬反射層、防擴散層和防氧化層。?

12.根據權利要求11所述的發光二極管，其中，電流分布層還可以包括設置在防氧化層上的粘附層。?

13.一種發光二極管模塊，所述發光二極管模塊包括：?

印刷電路板；以及?

發光二極管，粘附在印刷電路板上，?

其中，所述發光二極管包括：?

第一導電型半導體層；?

臺階，設置在第一導電型半導體層上，并且包括活性層和第二導電型半導體層；?

第一歐姆接觸結構，與第一導電型半導體層接觸；?

第二歐姆接觸結構，與在臺階上的第二導電型半導體層接觸；?

下絕緣層，覆蓋臺階和第一導電型半導體層，并具有暴露第一歐姆接觸結構的第一開口部分和暴露第二歐姆接觸結構的第二開口部分；以及?

電流分布層，連接到通過下絕緣層的第一開口部分而暴露的第一歐姆接觸結構，并且具有暴露第二開口部分的第三開口部分；以及?

上絕緣層，覆蓋電流分布層，?

其中，上絕緣層具有通過暴露電流分布層來限定第一電極焊盤區域的第四開口部分和通過暴露由第二開口部分暴露的第二歐姆接觸結構的上部區域來限定第二電極焊盤區域的第五開口部分；以及?

第一電極焊盤區域和第二電極焊盤區域通過焊膏而分別粘附到印刷電路板上的對應的焊盤。?

14.根據權利要求13所述的發光二極管模塊，所述發光二極管模塊還包括：防擴散增強層，設置在電流分布層的第三開口中并且連接到第二歐姆接觸結構，?

其中，防擴散增強層暴露于第五開口部分。?

15.根據權利要求13所述的發光二極管模塊，其中，電流分布層包括金屬反射層，金屬反射層是電流分布層的最下層。?