[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201420551883.0
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN204216038U
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 三浦喜直;中村卓;團野忠敏
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

襯底；和

第一晶體管單元、第二晶體管單元、以及第三晶體管單元，所述第一晶體管單元、所述第二晶體管單元、以及所述第三晶體管單元被形成在所述襯底中并且在第一方向上被依次并排地布置，

其中，所述第一晶體管單元、所述第二晶體管單元、以及所述第三晶體管單元都包括多個晶體管，在所述多個晶體管中，柵電極在所述第一方向上延伸，

所述半導體器件進一步包括：

第一互連，所述第一互連在與所述第一方向相交的第二方向上在所述第一晶體管單元和所述第二晶體管單元之間延伸，并且被連接到所述第一晶體管單元的所述多個晶體管的源電極和所述第二晶體管單元的所述多個晶體管的源電極；

第二互連，所述第二互連在所述第一晶體管單元介于所述第二互連和所述第一互連之間的情況下位于所述第一互連的相反側，在所述第二方向上延伸，并且被連接到所述第一晶體管單元的所述多個晶體管的漏電極；

第三互連，所述第三互連在所述第二方向上在所述第二晶體管單元和所述第三晶體管單元之間延伸，并且被連接到所述第二晶體管單元的所述多個晶體管的漏電極和所述第三晶體管單元的所述多個晶體管的漏電極；

第四互連，所述第四互連在所述第三晶體管單元介于所述第四互連和所述第三互連之間的情況下位于所述第三互連的相反側，在所述第二方向上延伸，并且被連接到所述第三晶體管單元的所述多個晶體管的源電極；

第一接合構件，所述第一接合構件在多個點處被連接到所述第一互連；

第二接合構件，所述第二接合構件在多個點處被連接到所述第二互連；

第三接合構件，所述第三接合構件在多個點處被連接到所述第三互連；以及

第四接合構件，所述第四接合構件在多個點處被連接到所述第四互連。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一接合構件、所述第二接合構件、所述第三接合構件、以及所述第四接合構件是接合線。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述襯底是矩形的，并且

其中，當在平面圖中看時，

所述第一接合構件和所述第四接合構件從所述襯底的第一邊延伸到所述襯底的外部，并且

所述第二接合構件和所述第三接合構件從所述襯底的面對所述第一邊的第二邊延伸到所述襯底的外部。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，當連接點的數目被設定為n并且連接到所述接合構件的互連的長度被設定為L時，

所述第一接合構件、所述第二接合構件、所述第三接合構件、以及所述第四接合構件中的每一個被構造使得在所述連接點之間的間隔是L/n，并且

在最接近所述互連的端部的連接點與所述互連的所述端部之間的間隔是L/(2n)。