[實用新型]基于三輸入保護門的抗輻射鎖存器

有效

• 申請號: 201420549291.5
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN204258775U
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 徐江濤;閆茜;姚素英;聶凱明;史再峰;高志遠
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 劉國威

1.一種基于三輸入保護門的抗輻射鎖存器，其特征是，由6個傳輸門TG1～6，3個反相器INV1～3，3個二輸入保護門DIG1～3和一個三輸入保護門構成，有三路相同的輸入信號分別對應輸入到輸入端D1、D2、D3，輸入端D1、D2、D3分別依次對應通過傳輸門TG1、傳輸門T?G2、傳輸門TG3送入對應的二輸入保護門DIG1～3，輸入信號經輸入端D1、輸入端D2作為二輸入保護門DIG1的輸入，二輸入保護門DIG1的輸出A經過反相器INV1和傳輸門TG4連至輸入端D1；輸入端D2、輸入端D3作為二輸入保護門DIG2的輸入，二輸入保護門DIG2的輸出B經由反相器INV2和傳輸門TG5連至輸入端D2；輸入端D1、輸入端D3作為二輸入保護門DIG3的輸入，二輸入保護門DIG3的輸出C經反相器INV3和TG6連至輸入端D3；輸出A、B、C作為三輸入保護門TIG的輸入信號，三輸入保護門TIG輸出為Q。

2.如權利要求1所述的基于三輸入保護門的抗輻射鎖存器，其特征是，二輸入保護門DIG結構為，使用兩個PMOS管PM1和PM2串聯，兩個NMOS管NM1和NM2串聯；PM1的源級接VDD，PM2的漏極接NM2的漏極，NM1的源級接GND，PM1和NM1的柵極作為一個輸入A，PM2和NM2的柵極作為另一個輸入B，PM2和NM2的漏極作為輸出O。

3.如權利要求1所述的基于三輸入保護門的抗輻射鎖存器，其特征是，三輸入保護門TIG的結構為：使用三個PMOS管PM4、PM5、PM6串聯，三個NMOS管NM4、NM5、NM6串聯；PM1的源級接VDD，PM3的漏極接NM3的漏極，NM1的源級接GND，PM1和NM1的柵極作為一個輸入A，PM2和NM2的柵極作為另一個輸入B，PM3和NM3的柵極作為另一個輸入C，PM3和NM3的漏極作為輸出O。

4.如權利要求1所述的基于三輸入保護門的抗輻射鎖存器，其特征是，所用晶體管的寬長比如表1所示：

表1

單元 PMOS/最小尺寸 NMOS/最小尺寸 開關 1 1 反相器 2 1 DIG 4 2 TIG 6 3

電路中傳輸門所用晶體管采用最小尺寸，反相器的P管的寬度是最小寬度的2倍，來保證上升時間和下降時間的一致，DIG所用晶體管尺寸是反相器的2倍，TIG所用晶體管的尺寸是反相器的3倍。