[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420538353.2
• 申請(qǐng)日: 2014-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN204102904U
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 川尻智司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三墾電氣株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置具有：

第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)；

第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)，其配置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)之上；

第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)，其配置在所述第2半導(dǎo)體區(qū)之上；

多個(gè)第2導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體區(qū)，它們配置在所述第3半導(dǎo)體區(qū)之上；

絕緣膜，其分別配置在槽的內(nèi)壁上，該槽從所述第4半導(dǎo)體區(qū)的上表面延伸，貫通所述第4半導(dǎo)體區(qū)以及所述第3半導(dǎo)體區(qū)，到達(dá)所述第2半導(dǎo)體區(qū)；

控制電極，其在所述槽的側(cè)面中被配置在所述絕緣膜的與所述第3半導(dǎo)體區(qū)的側(cè)面相對(duì)的區(qū)域上；

第1主電極，其與所述第1半導(dǎo)體區(qū)電連接；

第2主電極，其與所述第4半導(dǎo)體區(qū)電連接；以及

底面電極，其在所述槽的底面上與所述控制電極分離地配置在所述絕緣膜之上，并與所述第2主電極電連接，

在俯視時(shí)，所述槽的延伸方向的長(zhǎng)度為所述槽的寬度以上，且所述槽的寬度大于相鄰的所述槽彼此之間的間隔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述底面電極的與所述槽的底面相對(duì)的寬度大于所述控制電極的與所述槽的底面相對(duì)的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述底面電極的與所述槽的底面相對(duì)的寬度大于所述底面電極的膜厚方向的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述控制電極的底面的位置比所述底面電極的上表面的位置靠下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述底面電極的與所述槽的底面相對(duì)的寬度大于所述底面電極和所述控制電極的沿著所述槽的底面的間隔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述槽的槽寬大于所述槽的深度且所述槽寬為3μm～20μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體裝置還具有連接槽，該連接槽形成為貫通所述第3半導(dǎo)體區(qū)而到達(dá)所述第2半導(dǎo)體區(qū)，且至少具有沿著與所述槽延伸的方向交叉的方向延伸的交叉部分，在所述交叉部分中，使所述槽連接，

通過配置在所述連接槽的內(nèi)部的導(dǎo)電性膜，使配置在并列配置的多個(gè)所述槽中的所述控制電極彼此連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述連接槽還具有與所述槽平行地配置的并行部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述連接槽的槽寬小于所述槽的槽寬。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述連接槽的槽寬大于所述槽的槽寬。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述槽的寬度為3μm～15μm，

所述槽的深度為2μm～10μm，

所述第2半導(dǎo)體區(qū)的厚度為40μm～140μm。

12.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置具有：

第1導(dǎo)電型的第1半導(dǎo)體區(qū)；

第2導(dǎo)電型的第2半導(dǎo)體區(qū)，其配置在所述第1半導(dǎo)體區(qū)之上；

第1導(dǎo)電型的第3半導(dǎo)體區(qū)，其配置在所述第2半導(dǎo)體區(qū)之上；

多個(gè)第2導(dǎo)電型的第4半導(dǎo)體區(qū)，它們配置在所述第3半導(dǎo)體區(qū)之上；

絕緣膜，其分別配置在槽的內(nèi)壁上，該槽從所述第4半導(dǎo)體區(qū)的上表面延伸，貫通所述第4半導(dǎo)體區(qū)以及所述第3半導(dǎo)體區(qū)，到達(dá)所述第2半導(dǎo)體區(qū)；

控制電極，其在所述槽的側(cè)面中被配置在所述絕緣膜的與所述第3半導(dǎo)體區(qū)的側(cè)面相對(duì)的區(qū)域上，

底面電極，其在所述槽的底面中與所述控制電極分離地配置在所述絕緣膜之上；

第1主電極，其與所述第1半導(dǎo)體區(qū)電連接；

層間絕緣膜，其配置在所述控制電極以及所述底面電極上；以及

第2主電極，其在所述控制電極以及所述底面電極的上方，隔著所述層間絕緣膜配置在所述第3半導(dǎo)體區(qū)之上以及所述第4半導(dǎo)體區(qū)之上，并與所述第4半導(dǎo)體區(qū)以及所述底面電極電連接，

在俯視時(shí)，所述槽的面積大于相鄰的所述槽之間的半導(dǎo)體區(qū)的面積。