[實用新型]太陽能光伏組件有效
| 申請號: | 201420537995.0 | 申請日: | 2014-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN204067389U | 公開(公告)日: | 2014-12-31 |
| 發明(設計)人: | 蔣明祥 | 申請(專利權)人: | 嘉興旭日光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/054;H01L31/056 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 314001 浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能光伏組件,屬于光伏發電領域。
背景技術
目前太陽能光伏組件的結構通常為玻璃、EVA膜、電池片、EVA膜和背板,此五層結構經抽真空加熱層壓后采用率框固定,從而成為太陽能電池組件。電池片上下兩層一般使用材質柔軟且透明度極高的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA膜)封裝材料,通常的組件結構存在功率損耗高,耐久性差的問題。
發明內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構設計優良,能有效提高單位面積組件功率轉換效率的太陽能光伏組件。
本實用新型解決上述技術問題所采用的方案是:太陽能光伏組件,包括玻璃、第一層EVA膜、電池片、第二層EVA膜、背板及外框,所述玻璃、第一層EVA膜、電池片、第二層EVA膜及背板經抽真空層壓復合后采用及外框將其固定,所述外框采用型材組合而成,其特征在于:所述玻璃的正反兩面均設有SiO2透光膜,所述SiO2透光膜的厚度為20nm-28nm,所述背板表面鍍有納米銀反射膜,納米銀反射膜上鍍有四氟乙烯涂層,四氟乙烯涂層的厚度為30-40nm,所述型材上設有安裝槽,安裝槽內設有膠條,膠條為方形結構,所述外框中安裝后位于下方的一條型材的外側壁設有開孔。
本實用新型所述納米銀反射膜的厚度為12nm-20nm。
本實用新型所述開孔分為上下兩層,兩層開孔相交錯。
本實用新型同現有技術相比具有以下優點及效果:
1、本實用新型所述玻璃的正反兩面均設有SiO2透光膜,SiO2透光膜增加透光率,經試驗表SiO2透光膜的厚度為20nm-28nm時,透光率可達95%以上。
2、本實用新型所述背板的鍍有納米銀反射膜,納米銀反射膜上鍍有四氟乙烯涂層,四氟乙烯涂層的厚度為30-40nm。背板的光發射率也是組件轉換效率的重要因素,在背板上設有采用真空鍍膜方式鍍膜納米銀材料作為反射膜,再覆蓋上四氟乙烯涂層可有效保護反射膜和背板,提高背板的耐久性。
3、本實用新型所述型材上設有膠條,防水性能,膠條層方形可大面積接觸玻璃,受力均勻穩定,其中一條型材外側壁設有開孔,該條型材為安裝后位于下方的位置,因組件暴露與室外,常見風吹雨淋,雨季時段部分水會滲透入型材內,因此在此設置開孔可導流出處滲透的水份。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
圖2為本實用新型的剖視結構示意圖。
圖3為本實用新型的所述開孔結構示意圖。
具體實施方式
下面結合實施例對本實用新型做進一步的詳細說明,以下實施例是對本實用新型的解釋而本實用新型并不局限于以下實施例。
實施例:
如圖1至圖2所示本實用新型所述太陽能光伏組件,包括玻璃1、第一層EVA膜2、電池片3、第二層EVA膜4、背板5及外框6,所述玻璃1、第一層EVA膜2、電池片3、第二層EVA膜4及背板5經抽真空層壓復合后采用及外框6將其固定,所述外框6采用型材組合而成,所述玻璃1的正反兩面均設有SiO2透光膜7,所述SiO2透光膜7的厚度為20nm-28nm,本實施例選用20nm、28nm和25nm。所述背板5表面鍍有納米銀反射膜8,納米銀反射膜8是采用真空鍍膜技術將納米銀材料鍍膜在背板5表面,納米銀反射膜8上鍍有四氟乙烯涂層9,四氟乙烯涂層的厚度為30-40nm,本實施例選用30nm、37nm和45nm。納米銀反射膜8可增加背板的光發射率,提升轉換效率,所述型材上設有安裝槽61,安裝槽61內設有膠條10,膠條10為方形結構,所述外框6中安裝后位于下方的一條型材66的外側壁設有開孔62,其他型材無開孔,開孔可導流出處滲透進外框內的水份。本實用新型所述安裝后位于下方的一條型材僅在開孔結構上與其他型材有差異,本實用新型所述納米銀反射膜的厚度為12nm-20nm。
如圖3所示,所述開孔62分為上下兩層,兩層開孔62相交錯。雙層開孔交錯,可防水水汽倒流。
雖然本實用新型已以實施例公開如上,但其并非用以限定本實用新型的保護范圍,任何熟悉該項技術的技術人員,在不脫離本實用新型的構思和范圍內所作的更動與潤飾,均應屬于本實用新型的保護范圍。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
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