[實(shí)用新型]一種基于脈沖氫閘流管和低阻抗電纜Blumlein脈沖形成線(xiàn)的等離子體電光開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420537105.6
• 申請(qǐng)日: 2014-09-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204089756U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮宗明;謝敏;鄧維軍;馮元偉;趙娟;李洪濤;劉金峰;馬成剛;龍燕;葉超;賈興;李亞維;馬軍;馮莉;李晏敏;代剛;曹寧翔;任青毅;丁明軍;黃斌;吳紅光;李巨;于治國(guó);鄧明海;張雄軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H03K17/52
• 分類(lèi)號(hào): H03K17/52
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 徐宏;吳彥峰

1.一種基于脈沖氫閘流管和低阻抗電纜Blumlein脈沖形成線(xiàn)的等離子體電光開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：

所述脈沖形成線(xiàn)由一整根高壓射頻同軸電纜組成，所述同軸電纜對(duì)折，且對(duì)折后的同軸電纜外的絕緣層連接為一體；

所述同軸電纜端部的纜芯并聯(lián)并與高壓電源端和脈沖氫閘流管的一端連接，同軸電纜端部的屏蔽層并聯(lián)并連接在脈沖氫閘流管的另一端；

所述整根同軸電纜對(duì)折后的1/2處將同軸電纜的纜芯并聯(lián)并連接到負(fù)載的一端，所述整根同軸電纜對(duì)折后的1/2處將同軸電纜的屏蔽層并聯(lián)連接到負(fù)載的另一端，所述負(fù)載的一端連接到地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于脈沖氫閘流管和低阻抗電纜Blumlein脈沖形成線(xiàn)的等離子體電光開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述負(fù)載為純電阻負(fù)載。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于脈沖氫閘流管和低阻抗電纜Blumlein脈沖形成線(xiàn)的等離子體電光開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述負(fù)載的接地端與同軸電纜的纜芯一端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于脈沖氫閘流管和低阻抗電纜Blumlein脈沖形成線(xiàn)的等離子體電光開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述負(fù)載的接地端與同軸電纜的屏蔽層一端連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于脈沖氫閘流管和低阻抗電纜Blumlein脈沖形成線(xiàn)的等離子體電光開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：

所述脈沖形成線(xiàn)包括若干根對(duì)折后的同軸電纜，所述若干根同軸電纜端部的纜芯并聯(lián)在一起并與高壓電源端和脈沖氫閘流管的一端連接，若干根同軸電纜端部的屏蔽層并聯(lián)在一起并連接在脈沖氫閘流管的另一端；

所述若干根同軸電纜對(duì)折后的1/2處將同軸電纜的纜芯并聯(lián)并連接到負(fù)載的一端，所述若干根同軸電纜對(duì)折后的1/2處將同軸電纜的屏蔽層并聯(lián)連接到負(fù)載的另一端，所述負(fù)載的一端連接到地。