[實用新型]高壓無阻達林頓功率晶體管有效
| 申請號： | 201420532835.7 | 申請日： | 2014-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN204118070U | 公開（公告）日： | 2015-01-21 |
| 發明（設計）人： | 龔利汀;易瓊紅;龔利貞 | 申請（專利權）人： | 無錫固電半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/082 | 分類號： | H01L27/082;H01L29/739 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 無阻 達林頓 功率 晶體管 | ||
1.一種高壓無阻達林頓功率晶體管，包括一N型襯底，其特征在于，還包括：
形成于N型襯底背面的背面金屬層(8)，用于形成前級晶體管T1和后級晶體管T2共接的集電極；
在N型襯底的正面形成有相互隔離的前級晶體管T1的P型基區(5)和后級晶體管T2的P型基區(9)；在前級晶體管T1的P型基區(5)內形成有前級晶體管T1的N+型發射區(4)；在后級晶體管T2的P型基區(9)內形成有后級晶體管T2的N+型發射區(10)；在N型襯底的正面覆蓋有氧化層(3)；
N型襯底的正面氧化層(3)之上還形成有連接前級晶體管T1的N+型發射區(4)和后級晶體管T2的P型基區(9)的連接金屬層(2)；
在前級晶體管T1的P型基區(5)上方的襯底正面設有前級晶體管T1基極金屬層(5a)，用于形成T1管的基極；
在后級晶體管T2的N+型發射區(10)上方的襯底正面設有后級晶體管T2發射極金屬層(10a)，用于形成T2管的發射極；
在N型襯底的正面最外層覆蓋有聚酰亞胺有機薄膜鈍化層(1)。
2.如權利要求1所述的高壓無阻達林頓功率晶體管，其特征在于：
所述背面金屬層(8)包含三層結構，與襯底相接的是鈦層，中間為鎳層，底層為銀層。
3.如權利要求1所述的高壓無阻達林頓功率晶體管，其特征在于：
N型襯底包括與背面金屬層(8)相接的N+型第一襯底子層(7)和第一襯底子層(7)之上的N-型第二襯底子層(6)。
4.如權利要求3所述的高壓無阻達林頓功率晶體管，其特征在于：
N+型第一襯底子層(7)采用三重擴散結構，自背面金屬層(8)至第二襯底子層(6)方向三重擴散的濃度遞減。
5.如權利要求1所述的高壓無阻達林頓功率晶體管，其特征在于：
氧化層(3)包含兩個子層，其上層為二氧化硅層，下層為磷硅酸玻璃層。
6.如權利要求1所述的高壓無阻達林頓功率晶體管，其特征在于：
后級晶體管T2的N+型發射區(10)旁側還設有N+型增阻環(11)。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
