[實用新型]一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420522421.6 | 申請日: | 2014-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN204109454U | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李林克;朱文峰;楊忠芝;吳建海 | 申請(專利權(quán))人: | 東莞市納利光學(xué)材料有限公司 |
| 主分類號: | B32B3/24 | 分類號: | B32B3/24;B32B27/12;B32B17/02;B32B9/04;B32B33/00 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 523000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硬度 擴散 電磁波 保護膜 | ||
1.一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其由上到下依次包括保護膜層、保護膠層、使用膜層、剝離膠層、剝離膜層,保護膠層的上表面、下表面分別與保護膜層、使用膜層貼合,剝離膠層的上表面、下表面分別與使用膜層、剝離膜層貼合,其特征在于:使用膜層包括抗電磁波層、貼合于抗電磁波層下表面的高擴散層、以及貼合于高擴散層下表面的高硬度層,抗電磁波層的上表面與保護膠層的下表面貼合,高硬度層的下表面與剝離膠層的上表面貼合,保護膠層和剝離膠層均為彩色硅膠涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述保護膠層內(nèi)均勻分布有若干第一氣孔,第一氣孔的平均直徑為?9~15μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述剝離膠層內(nèi)均勻分布有若干第二氣孔,第二氣孔的平均直徑為?9~15μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述剝離膜層的上表面開設(shè)有若干凹槽,凹槽的深寬比為1:1.5~2.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述凹槽的深度為0.5~1.0μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述抗電磁波層是由顆粒大小為納米級的金屬粉體組成的金屬納米層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述保護膜層、所述使用膜層和所述剝離膜層均為透光率大于92%、霧度小于1%的PET薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述高擴散層和所述高硬度層之間設(shè)置有玻璃纖維層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述保護膜層、所述剝離膜層的厚度均為20~60μm,所述使用膜層的厚度為50~200μm,所述保護膠層、所述剝離膠層的厚度均為10~40μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高硬度高擴散抗電磁波保護膜,其特征在于:所述抗電磁波層、所述高擴散層和所述高硬度層的厚度比為1:6~8:1.5~2.5。
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B32B 層狀產(chǎn)品,即由扁平的或非扁平的薄層,例如泡沫狀的、蜂窩狀的薄層構(gòu)成的產(chǎn)品
B32B3-00 實質(zhì)上由帶有外部或內(nèi)部不連續(xù)的或不平整的薄層,或非平面形狀的薄層構(gòu)成的層狀產(chǎn)品
B32B3-02 .以特定位置的形狀特征為特征的,如邊緣部位
B32B3-10 .以不連續(xù)的薄層為特征的,即帶孔的或間隔的材料片形成的
B32B3-26 .以連續(xù)薄層的截面的特殊輪廓形狀為特征的;以帶有空穴或內(nèi)部空隙的薄層為特征的
B32B3-28 ..以包含變形薄板的薄層為特征的,如瓦楞薄板、皺紋薄板
B32B3-30 ..以和凹窩或凸塊組成的薄層為特征的,如有凹槽的或帶肋的薄層





