[實(shí)用新型]一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420516491.0
• 申請(qǐng)日: 2014-09-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204243048U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 司紅康;金一琪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 六安市華海電子器材科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管，尤其是一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管。

背景技術(shù)

薄膜晶體管作為一種場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體器件，在有源陣列顯示器驅(qū)動(dòng)等顯示領(lǐng)域有著重要的無(wú)可替代的運(yùn)用，半導(dǎo)體活性材料對(duì)器件的性能和制造工藝有至關(guān)重要的影響，以硅為活性半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管往往會(huì)存在遷移率低，光敏性強(qiáng)的缺點(diǎn)。以氧化鋅為代表的透明寬帶隙氧化物半導(dǎo)體材料能夠很好的解決硅半導(dǎo)體材料的缺點(diǎn)，作為可用于薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體材料包括ZnO，MgZnO，Zn-Sn-O,In-Zn-O,SnO,Ga₂O₃,In-Ga-O,In₃0₂,In-Ga-Zn-O等性能優(yōu)異的材料。但是隨著顯示領(lǐng)域迅速發(fā)展，目前對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的特性要求越來(lái)越高，例如要求較小的串聯(lián)電阻，較高的遷移率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明在于解決在不導(dǎo)致氧化物薄膜晶體管性能下降的情況下，降低氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的串聯(lián)電阻。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明提供一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，包括絕緣襯底；位于絕緣襯底上的柵極電極層；位于絕緣襯底上覆蓋所述柵極電極層的柵極絕緣層；氧化物半導(dǎo)體層形成于柵極絕緣層上，并包括與柵極電極層正對(duì)的溝道區(qū)域和位于溝道區(qū)域兩端的源漏極區(qū)域；源漏極金屬電極層，位于源漏極區(qū)域上；其特征在于：在所述源漏極金屬電極層與所述源漏極區(qū)域接觸的區(qū)域具有引入的氫濃度分布。

進(jìn)一步的，在所述源極金屬電極層與所述源極區(qū)域界面處，以及所述漏極金屬電極與所述漏極區(qū)域的界面處引入的氫濃度最高，并且在遠(yuǎn)離界面處的方向上引入的氫濃度逐漸變小。

進(jìn)一步的，在所述源漏極金屬電極層遠(yuǎn)離所述源漏極區(qū)域的一端沒(méi)有引入的氫濃度分布。

進(jìn)一步的，在靠近所述溝道區(qū)域的所述源漏極區(qū)域部分沒(méi)有覆蓋所述源漏極金屬電極層，并且所述溝道區(qū)域內(nèi)沒(méi)有引入的氫濃度分布。

進(jìn)一步的，所述沒(méi)有覆蓋所述源漏極金屬電極層的靠近所述溝道區(qū)域的所述源漏極區(qū)域部分的長(zhǎng)度為源漏極區(qū)域長(zhǎng)度的1/8到1/10之間。

進(jìn)一步的，所述源漏極金屬電極層選自鋁、鈦、鉬、釹、釔或者鉭中的一種。

附圖說(shuō)明

圖1-3本發(fā)明氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管在各制備階段的截面圖；

具體實(shí)施方式

本發(fā)明能夠降低源極電極，漏極電極與氧化物半導(dǎo)體之間的電阻，同時(shí)不會(huì)影想閾值電壓、截止電流以及遷移率。