[實(shí)用新型]基于超材料的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420514776.0
• 申請(qǐng)日: 2014-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204130553U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅俊;別業(yè)華;李維軍;張新宇;佟慶;雷宇;桑紅石;張?zhí)煨?/a>;謝長(zhǎng)生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/02
• 分類號(hào): H01L31/02;H01L31/08;H01L31/18
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 朱仁玲

1.一種基于超材料的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N型砷化鎵層、二氧化硅層、超材料層、歐姆電極、和一對(duì)肖特基電極，其特征在于，歐姆電極和肖特基電極分別設(shè)置于超材料層的左右兩端，超材料層與N型砷化鎵層形成肖特基接觸，超材料層包括多個(gè)可以以任意方式排列的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，且為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬層，金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列的金屬開(kāi)環(huán)共振單元開(kāi)孔間距t＝2～8μm，線寬d＝4～14μm，周期L＝36～100μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器，其特征在于，所述周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬層包含了多種圖形及其特征尺寸參數(shù)，其對(duì)于特定電磁波具有完全吸收特性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器，其特征在于，襯底層的材料是半絕緣砷化鎵、硅、或三氧化二鋁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器，其特征在于，歐姆電極的材料是鎳、鍺、以及金，其厚度分別為20-30nm、200-300nm和20-30nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器，其特征在于，肖特基電極的材料是鈦和金，其厚度分別為20-30nm和200-250nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器，其特征在于，當(dāng)超材料層用于電磁信號(hào)探測(cè)時(shí)，其周期性微納米結(jié)構(gòu)的周期應(yīng)該遠(yuǎn)小于電磁信號(hào)的波長(zhǎng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基型太赫茲多譜信號(hào)探測(cè)器，其特征在于，金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列的制作材料為鈦和金，其厚度分別為20～30nm和200～250nm。