[實(shí)用新型]一種通信用濾波器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420512689.1
• 申請日: 2014-09-09
• 公開（公告）號: CN204156847U
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟剛
• 申請（專利權(quán)）人: 撫州市雙菱磁性材料有限公司
• 主分類號: H03L7/085
• 分類號: H03L7/085;H03L7/093;H04B1/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

????本實(shí)用新型涉及濾波器，具體是一種通信用濾波器。

背景技術(shù)

隨著無線通信領(lǐng)域的迅猛發(fā)展，特別是手持設(shè)備的迅猛發(fā)展，射頻集成電路對低體積，高集成度，低功耗的要求越來越高。對于發(fā)射機(jī)而言，采用直接調(diào)制壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)無疑是手持設(shè)備的首選，因?yàn)槠渚哂泄δ苣K數(shù)量少，功耗低的優(yōu)勢，但是直接發(fā)射機(jī)需要在鎖相環(huán)開環(huán)的情況下來發(fā)射數(shù)據(jù)，這就要求鎖相環(huán)環(huán)路濾波器能夠在鎖相環(huán)開環(huán)的時(shí)候?qū)h(huán)路電壓維持一段時(shí)間以滿足數(shù)據(jù)發(fā)射的要求。

傳統(tǒng)的濾波器通過大電容來達(dá)到維持環(huán)路電壓的目的，在鎖相環(huán)鎖定階段開關(guān)關(guān)閉；當(dāng)鎖相環(huán)鎖定到需要的頻率后，開關(guān)打開，通過開關(guān)后的大電容來達(dá)到維持發(fā)射數(shù)據(jù)所需電壓，但是電容無法在片上集成，只能使用片外電容，而這將大大降低芯片的集成度，且會(huì)增加成本。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種對線性度的調(diào)節(jié)，工作穩(wěn)定，穩(wěn)定環(huán)路電壓，提高了芯片的集成度的通信用濾波器，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

一種通信用濾波器，包括傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3、功率放大器A1和主濾波電路；其中，傳輸門S1、傳輸門S2、傳輸門S3均為CMOS傳輸門，傳輸門S1由一個(gè)NMOS晶體管M4和一個(gè)PMOS晶體管M3通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M4的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M4的柵與SP相連，PMOS晶體管M3的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M3的柵與SN相連；傳輸門S2由一個(gè)NMOS晶體管M6和一個(gè)PMOS晶體管M5通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M6的襯底與VL端口相連，，NMOS晶體管M6的柵與SP相連，PMOS晶體管M5的襯底與VH端口相連，PMOS晶體管M5的柵與SN相連；傳輸門S3由一個(gè)NMOS晶體管M8和一個(gè)PMOS晶體管M7通過源漏互連的方式構(gòu)成，NMOS晶體管M8的襯底與地GND相連，NMOS晶體管M8的柵與SP相連，PMOS晶體管M7的襯底與電源VDD相連，PMOS晶體管M7的柵與SN相連；傳輸門S1的右端分別與傳輸門S2的左端、傳輸門S3的右端相連，傳輸門S1的左端與ICP端口相連；傳輸門S2的右端同時(shí)連接功率檢測器A的一端、電容C0的一端和單位增益放大器A2的一端；所述傳輸門S3的左端與VFD端口相連；功率放大器A1的輸入端與電容C0的另一端相連，且功率放大器A1與電容C0之間的接線點(diǎn)還連接二極管D的正極，二極管D的負(fù)極接地；功率檢測器A的另一端依次通過開關(guān)管M9、扼流電感L連接功率放大器A1的輸入端；功率放大器A1的輸出端同時(shí)連接電阻R1的一端、電阻R2的一端；電阻R1的另一端連接PMOS晶體管M1，電阻R2的另一端連接PMOS晶體管M2，其中，PMOS晶體管M1的襯底與源及電源VDD相連，PMOS晶體管M1的柵與VBIAS相連，PMOS晶體管M1的漏與VH端口相連，NMOS晶體管M2的襯底接地，NMOS晶體管M2的柵與VBIAS相連，NMOS晶體管M2的漏與VL端口相連；所述單位增益放大器A2的輸入端與傳輸門S2之間的接線點(diǎn)還同時(shí)通過電容C1接地、電容C2接地，單位增益放大器A2輸出端連接電阻R3的一端，電阻R3的另一端同時(shí)連接VOUT端口、通過電容C3接地。

進(jìn)一步的，所述電容C1、電容C2、單位增益放大器A2、電阻R3、電容C3構(gòu)成主濾波電路。

進(jìn)一步的，所述電阻R3和電容C3形成低通濾波器。

進(jìn)一步的，電容C0為隔直電容。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過引入一個(gè)負(fù)增益支路（二極管與電阻串聯(lián)支路），消減了中高功率區(qū)域的增益膨脹，改善了功率放大器的線性度，實(shí)現(xiàn)了對低直流偏置下的功率放大器芯片電路線性度的調(diào)節(jié)，阻止射頻信號的灌入，隔直電容阻止功率檢測電壓對射頻輸入端的影響，工作穩(wěn)定、可靠，且切斷了環(huán)路濾波器的放電路徑，以此來達(dá)到穩(wěn)定環(huán)路電壓的目的，而不像傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)那樣，需要大的環(huán)路電容，因此提高了芯片的集成度，降低了成本。

附圖說明

圖1為通信用濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。