[實(shí)用新型]接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420508924.8
• 申請(qǐng)日: 2014-09-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204045551U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡孟峰;黃晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)至少包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱區(qū)；

位于所述阱區(qū)內(nèi)相互平行的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；

位于所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)上的等間距排布的柵橋；

位于所述第一有源區(qū)上的第一接觸孔圖形，所述第一接觸孔圖形包括以等間距排布的第一接觸孔組，所述第一接觸孔組與所述柵橋交錯(cuò)間隔分布，且每個(gè)第一接觸孔組和與其相鄰的兩個(gè)柵橋之間具有相同的距離；

以及位于所述第二有源區(qū)上的第二接觸孔圖形，所述第二接觸孔圖形包括以等間距排布的第二接觸孔組；其中，各第二接觸孔組之間的間距大于各柵橋之間的間距，所述第二接觸孔組與所述柵橋交錯(cuò)間隔分布，且每個(gè)第二接觸孔組和與其鄰近的柵橋之間具有不同的預(yù)設(shè)偏移量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述第一接觸孔圖形和所述第二接觸孔圖形上的源極金屬連線，以及位于所述第一接觸孔圖形上的對(duì)稱分布的第一漏極金屬連線和第二漏極金屬連線；其中：

所述源極金屬連線與所述第二接觸孔圖形中的所有第二接觸孔組相連；

所述源極金屬連線與所述第一漏極金屬連線以叉指形式交錯(cuò)連接所述第一接觸孔圖形中位于一側(cè)的第一接觸孔組，以形成第一量測(cè)區(qū)域；

所述源極金屬連線與所述第二漏極金屬連線以叉指形式交錯(cuò)連接所述第一接觸孔圖形中位于另一側(cè)的第一接觸孔組，以形成第二量測(cè)區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵連接圖形，所述柵連接圖形與每個(gè)柵橋相連；

位于所述柵連接圖形上的第三接觸孔圖形，所述第三接觸孔圖形包括第三接觸孔組；

以及位于所述第三接觸孔圖形上的柵極金屬連線，所述柵極金屬連線與所述第三接觸孔圖形中的所有第三接觸孔組相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)還包括：

位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱接觸區(qū)；

位于所述阱接觸區(qū)上的第四接觸孔圖形，所述第四接觸孔圖形包括第四接觸孔組；

以及位于所述第四接觸孔圖形上的阱接觸金屬連線，所述阱接觸金屬連線與所述第四接觸孔圖形中的所有第四接觸孔組相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二接觸孔圖形中，由兩側(cè)向中間排布的第二接觸孔組和與其鄰近的柵橋之間的預(yù)設(shè)偏移量，相較于沿同一方向排布的前一第二接觸孔組和與其鄰近的柵橋之間的前一預(yù)設(shè)偏移量，以預(yù)設(shè)增量增大。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)偏移量大于0nm，所述預(yù)設(shè)增量為各第二接觸孔組之間的間距與各柵橋之間的間距的差值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接觸孔偏移量測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一接觸孔組和所述第二接觸孔組內(nèi)的每個(gè)接觸孔中均設(shè)有互連金屬。